Заполненность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если Вас уже третий рабочий день подряд клонит в сон, значит сегодня среда. Законы Мерфи (еще...)

Заполненность

Cтраница 4


Исследования этих сплавов имели целью установить влияние на их активность степени заполненности d - зоны. С точки зрения кристаллографии большинство этих сплавов представляет собой твердые растворы замещения иногда во всем диапазоне составов, причем изменение состава сопровождается только незначительным изменением постоянной решетки. Таким образом, геометрический фактор не может иметь здесь существенного значения для катализа, и главную роль следует приписать электронному фактору. О заполнении в этих сплавах d - зон можно судить по их магнитным, электрическим и термическим свойствам.  [46]

Исследования этих сплавов имели целью установить влияние на их активность степени заполненности d - зоны. С точки зрения кристаллографии большинство этих сплавов представляет собой твердые растворы замещения иногда во всем диапазоне составов, причем изменение состава сопровождается только незначительным изменением постоянной решетки. Таким образом, геометрический фактор не может иметь здесь существенного значения для катализа, и главную роль следует приписать электронному фактору. О заполнении в этих сплавах d - зон можно судить по их магнитным, электрическим и термическим свойствам. Так, магнитная восприимчивость сплавов Ni-Си уменьшается с возрастанием содержания меди; при содержании меди около 55 ат. Однако некоторые данные указывают, что и при более высо - ком содержании меди в сплаве и даже в чистой меди [65 ] d - зона может быть не заполнена. На наличие известного количества свободных уровней в d - зоне сплава, содержащего около 20 % никеля, указывает электронная составляющая удельной теплоемкости этого сплава, которая зависит от степени заполнения d - зоны. В системе Pd-Ag парамагнетизм исчезает при содержании серебра 60 ат.  [47]

Поэтому эти границы должны выбираться таким образом, чтобы максимальные отклонения заполненности буферной памяти практически находились в пределах некоторого диапазона ( х2, х), где 2га2, XiCra2, а средний уровень заполненности давал значение г. Так как значение предельной границы хг, вообще говоря, может превосходить число буферов адресата, то ее следует выбирать так, чтобы добиться минимума пакетов, застающих буферную память занятой. Тем самым уменьшается частота отказов.  [48]

49 Зависимость уровня жидкости в замкнутом объеме от давления при различном заполнении аппарата. [49]

Из графика наглядно видно, что при относительно небольших колебаниях степени первоначальной заполненности аппарата ( от 30 до 35 %) еще до достижения критических параметров весь объем может заполниться жидкостью или паром. При первоначальном заполнении аппарата на 32 26 % ( кривая 3) мениск при критических параметрах сохранится на уровне середины ( по объему) системы.  [50]

Различие между полупроводниками и металлами, которое в зонной картине определяется заполненностью уровней валентной зоны, вытекает из насыщенности химических связей в веществе.  [51]

52 Энергетические зоны диэлектрика ( а, полупроводника ( б и металла ( в. [52]

Расположение зон ( ближе или дальше друг от друга) и их заполненность электронами обусловливают свойства кристалла как диэлектрика ( изолятора), полупроводника и проводника. При условии перекрывания валентной зоны и зоны проводимости вещество ведет себя как проводник. Если зоны не перекрываются, достаточно далеко удалены друг от друга и валентная зона полностью заполнена электронами, вещество проявляет свойства диэлектрика. Энергетический разрыв между зоной проводимости и валентной зоной называется запрещенной зоной. У диэлектриков ширина запрещенной зоны выше 3 эВ, у полупроводников от 3 до 0 1 эВ и у проводников ( металлов) запрещенная зона отсутствует, А.  [53]



Страницы:      1    2    3    4