Зарождение - кристалл
Cтраница 1
Зарождение кристаллов во всех перечисленных вариантах происходит первоначально на охлаждаемой поверхности, а далее - на поверхности закристаллизовавшегося слоя. При этом расплав все время поддерживается в несколько перегретом состоянии, добы исключить зарождение и рост кристаллов в его объеме. [1]
Зарождение кристаллов в жидкости существенно облегчается, если в ней присутствуют примеси в виде мелких частиц. Такие частицы служат как бы готовыми подложками, для зарождения кристаллов на которых требуются значительно меньшие затраты энергии, чем для самостоятельного образования зародыша в расплаве. Поэтому зародыши кристаллов на таких частицах способны появляться при очень небольших переохлаждениях. Такое затравливающее действие инородных частиц ярко проявляется в том случае, когда эти частицы обладают кристаллической решеткой, с которой может сопрягаться решетка возникающих кристаллов. [2]
Зарождение кристалла начинается в какой-то физической точке расплава; затем от этой точки, как от центра, начинается рост кристалла. [3]
Зарождение кристаллов при распаде аустенита происходит преимущественно на границах зерен, поэтому чем мельче зерно аустенита, тем больше возникает зародышей и тем мельче будут вновь образующиеся зерна. [4]
Зарождение кристаллов может начаться самопроизвольно или же может быть вызвано искусственным путем. В первом случае зарождение называют гомогенным, во втором - гетерогенным. [5]
Для зарождения кристалла в метастабильной системе при механизмах как гомогенного, так и гетерогенного зарождения необходимо преодолеть некоторый энергетический барьер. [6]
Такое зарождение кристаллов в объеме называется гомогенным, при этом предельная насыщенность зависит от состава среды, концентрации, температуры, интенсивности перемешивания, физического состояния и химического состава поверхности, по которой двигается флюид, и от многих других факторов. С увеличением пересыщения скорость образования зародышей резко возрастает, а размеры их уменьшаются. Размеры зародышей составляют от десяти до нескольких сотен молекул кристаллизующегося вещества. [7]
 |
Схемы ячеисто-дендритной кристаллической структуры литого. [8] |
Различают самопроизвольное и несамопроизвольное зарождение кристаллов. В первом случае образование зародышей и позднее кристаллов происходит только в высокочистом жидком металле. [9]
Интенсивность зарождения кристаллов характеризуют скоростью их зарождения, под которой понимают количество центров кристаллизации ( зародышей), возникающих в единице объема за единицу времени. Различают гомогенное и гетерогенное зарождение. Гомогенное зарождение происходит при отсутствии в расплаве ( растворе) посторонних твердых примесей ( частиц), на которых могли бы образоваться кристаллы. Гетерогенное зарождение происходит на твердых поверхностях, а также на взвешенных в расплаве мельчайших инородных частицах. [10]
Скорость зарождения кристаллов w3 определяется, с одной стороны, вероятностью процесса зарождения, а с другой стороны, - подвижностью молекул. [11]
Скорость зарождения кристаллов характеризуют числом центров кристаллизации, возникающих в единице объема охлаждаемой смеси за единицу времени. При гомогенном механизме предполагают отсутствие в исходной смеси посторонних твердых частиц, на которых могут образоваться кристаллы; их зарождение в этом случае определяется флуктуациями энергии. При гетерогенном механизме зарождение кристаллов происходит на твердых поверхностях, а также на взвешенных в переохлажденной смеси мельчайших твердых инородных частицах. [12]
Механизм зарождения кристаллов в переохлажденных гомогенных расплавах исследован недостаточно полно. Согласно этой теории, вблизи точки плавления в расплаве возникают местные и временные флуктуации, которые представляют собой скопления с ориентированным расположением молекул - наподобие кристаллической решетки. Состояние этих скоплений неустойчивое: наряду с образованием наблюдается и распад их. Объединение возникших структурных образований может явиться зародышем, из которого в последующем вырастает кристалл. [13]
При зарождении кристаллов из расплава взаимосвязь между ае и ffs отражается на отношении минимальных аксиальных и поперечных размерах LH и Lj зародышей. Поскольку L составляет - 400 А при 110 С ( переохлаждение на 35 С), Lj 50 А, что соответствует в среднем 11 молекулярным слоям. Зародыши содержат - 125 распрямленных стержней цепи. [14]
Необходимым условием зарождения кристалла и его роста из расплава является переохлаждение расплава. Однако степень переохлаждения, необходимая для роста кристалла, отличается от степени переохлаждения, нужной для зарождения кристаллического центра. [15]
Страницы: 1 2 3 4