Гомогенное зарождение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
И волки сыты, и овцы целы, и пастуху вечная память. Законы Мерфи (еще...)

Гомогенное зарождение

Cтраница 1


Гомогенное зарождение с достаточной скоростью происходит только тогда, когда напряжение достигает теоретического предела прочности; таким образом, гомогенное зарождение дислокаций маловероятно. Еще меньшая вероятность зарождения существует для варианта b ( рис. 61), который сопровождается увеличением энергии петли на величину поверхностной энергии образующейся ступеньки ( в уравнения ( 4.1 1) - (4.14) добавляются со знаком члены 2ге, 2е / тгтЬ, е и 2е / ттЬ ( т - у / Ь), что приводит к еще большему значению тс.  [1]

Теория гомогенного зарождения частиц, развитая Фольме-ром [73] и Бенером с Дерингом [74], объясняет отмеченные закономерности с привлечением расчета энергии активации, необха-димой для необратимого образования ассоциатов молекул, т.е. зародышей частиц.  [2]

При гомогенном зарождении наложение ультразвукового поля приводит к интенсификации диффузионных процессов и увеличению вероятности перехода молекул из переохлажденной жидкой фазы в зародыш. Кроме того, под действием ультразвука усиливается теплообмен зародыша с окружающей средой.  [3]

Рассмотренная схема гомогенного зарождения и роста пор приводит к выводу, что рост пор должен происходить преимущественно в областях, далеких от внешней границы материала.  [4]

Классическая теория гомогенного зарождения была развита применительно к конденсации пара и кристаллизации жидкости.  [5]

Выше рассматривался процесс гомогенного зарождения, когда центр кристаллизации образуется в результате присоединения отдельных атомов к развивающемуся трехмерному зародышу сферической формы.  [6]

В соответствии с расчетами гомогенное зарождение при твердофазных превращениях требует больших переохлаждений ( пересыщений) и, прежде чем они будут достигнуты, избыточная фаза зародится на структурных дефектах - скоплениях вакансий, дислокациях и субграницах кристаллов.  [7]

Найденные в опытах энергии активации гомогенного зарождения оказались очень близки к тепловому эффекту реакций.  [8]

9 Зависимость степени возврата от температуры предварительного старения 7 для сплаве. [9]

Такой характер распада твердого раствора определяет гомогенное зарождение и чрезвычайно высокую дисперсность упрочняющей фазы.  [10]

Установлено, что в алюминиевых сплавах гомогенное зарождение петель подавляется до некоторой степени взаимодействием вакансий с растворенными атомами, этот эффект может быть качественно рассмотрен с точки зрения энергии связи вакансия - растворенный атом и пересыщения растворенными атомами.  [11]

Если большие тетраэдры образуются в результате гомогенного зарождения, а пустоты - в результате гетерогенного, то это должно находиться в согласии с экспериментальными результатами, так как величина cv уменьшается с уменьшением температуры закалки Tq, а величина с остается неизменной для данного образца. Это отношение также уменьшается, если при данной температуре закалки Tq используется менее чистый образец. Та температура закалки, ниже которой преобладающим становится гетерогенный процесс образования зародышей вакансионных скоплений, была названа Коттериллом и Сегалом критической температурой TKV, Следовательно, для золота чистотой 99 999 % Гкр 800 С, а для золота чистотой 99 98 % Гкр может превысить температуру плавления металла.  [12]

Приведенные уравнения и выводы относятся к гомогенному зарождению кристаллов. Это явление объясняется понижением энергетического барьера АФмакс в результате адсорбции молекул исходной фазы на указанных поверхностях раздела. Величина ф зависит от сродства свойств межфазной поверхности и кристаллической фазы.  [13]

14 Схема роста кристалли - [ IMAGE ] Схема образования плос. [14]

Из сравнения энергетических условий образования трехмерных ( гомогенное зарождение) и двумерных ( гетерогенное зарождение) зародышей видно, что для образования плоского зародыша критического радиуса требуются меньшее переохлаждение и меньшая флуктуация свободной энергии, чем при гомогенной кристаллизации.  [15]



Страницы:      1    2    3    4