Заряд - неосновной носитель
Cтраница 1
Заряд неосновных носителей в базе, как и любой заряд, создает вокруг себя электрическое поле, под действием которого через вывод базы в базу поступают электроны. Вследствие того что свободные электроны обладают высокой подвижностью, они распределяются в базе так же, как дырки. В результате электрическое поле в базе практически отсутствует. Наличие в базе заряда Q6 неосновных носителей и заряда электронов приводит к тому, что из-за тепловой флуктуации дырок и электронов имеет место их рекомбинация. Этот процесс рекомбинации протекает со средней скоростью Q6 / T6, где тб - постоянная времени базы, равная среднему времени жизни неосновных носителей в базе. Для восполнения заряда Q6 из эмиттера инжектируются новые дырки, а соответствующие им электроны поступают через вывод базы. [1]
Заряд неосновных носителей перемещается в ПЗС2 под действием диффузии, дрейфа в поле под затвором и в поле зазора. [2]
Заряд неосновных носителей и его распределение в базе не могут измениться мгновенно. [3]
Заряд неосновных носителей, накопленный в базе, связан с током базы соотношением QB / Бтр. [4]
Рассчитайте заряд неосновных носителей в коллекторе, когда: а - транзистор насыщен, б - транзистор смещен нормально. [5]
Помимо изменения заряда неосновных носителей в базе Q -, во время переходных процессов в транзисторе происходит также изменение заряда емкостей переходов. Рассмотрим физическое содержание этих процессов. [6]
Сб равно заряду неосновных носителей в базе транзистора, находящегося на грани насыщения. [7]
Для таких транзисторов заряд неосновных носителей, накопленный в области коллектора, может играть существенную роль. [8]
Через некоторое время заряд неосновных носителей в базе уменьшается до такой величины, при которой транзистор выходит из насыщения. После этого наступает этап запирания, в течение которого коллекторный ток лавинообразно падает до нуля, а коллекторное напряжение снова достигает значения - Е &. Затем получается выброс, обусловленный рассеянием магнитной энергии, накопленной в сердечнике трансформатора. По окончании выброса схема возвращается в исходное состояние и рассмотренный цикл повторяется. [9]
 |
Характер потенциальной ямы в ОПЗ в структурах МДП по мере перехода от сильного неравновесного истощения ( а к инверсии ( б. [10] |
Такой принцип хранения и перемещения заряда неосновных носителей может быть использован для разработки целого класса приборных систем как дискретного, так и интегрального типа. В частности, очевидным является использование ПЗС систем для построения сдвиговых ( регистровых), логических и запоминающих устройств. [11]
 |
Диодный шифратор.| Диодная логическая схема И на п входов. [12] |
В момент 11 заканчивается рассасывание заряда неосновных носителей в диодах и они закрываются. [13]
С помощью МДП-структур осуществляют хранение заряда неосновных носителей в потенциальных ямах, возникающих вблизи поверхности полупроводника под воздействием внешнего электрического поля. Потенциальные ямы могут перемещаться вдоль поверхности, осуществляя перенос неосновных носителей заряда. Рассмотрим процесс образования потенциальных ям. [14]
С увеличением амплитуды входного напряжения увеличивается заряд неосновных носителей в базе диода, но пропорционально увеличивается и обратный ток, вызывающий рассасывание этого заряда. Поэтому время задержки остается неизменным. [15]
Страницы: 1 2 3 4