Заряд - неравновесный носитель
Cтраница 1
Заряд неравновесных носителей состоит из заряда дырок Qp в коллекторе и электронов Qng / в базе. Основную часть составляет заряд QpK вследствие Ркгр Бгр, большей толщины области коллектора и большего эффективного времени жизни неосновных носителей в коллекторе тКэф по сравнению с базой. [1]
 |
Формы импульсов токов и напряжений в схеме с ОЭ. [2] |
При f б О увеличивается заряд неравновесных носителей в базе, а при У 0 этот заряд рассасывается. Площадь положительного тока г б всегда больше площади отрицательного тока, так как часть введенного заряда рекомбини-рует в базе. [3]
Отсюда следует, что в активной области характеристик временные изменения заряда неравновесных носителей в базе пропорциональны изменениям тока коллектора. [4]
 |
Изменение тока через тиристор ( а и-распределение зарядов в базах ( б при выключении тиристора импульсом напряжения отрицательной. [5] |
Величина обратного тока на интервале t0 н - / а практически не меняется, так как в базах тиристора накоплен большой заряд неравновесных носителей. [6]
Однако при работе транзистора существенную роль также играют диффузионные емкости р-п переходов. Наличие диффузионной емкости эмиттерного перехода обусловлено изменением заряда неравновесных носителей при изменении напряжения, приложенного к эмиттерному переходу. При увеличении положительного смещения на эмиттере в базу инжектируются дырки, при уменьшении смещения они отсасываются из базы. Изменение объемного заряда дырок компенсируется притоком электронов через базовый контакт. Таким образом, изменение напряжения приводит к изменению заряда в базовой области, что эквивалентно наличию емкости. [7]
ОД и ДНЗ, в базе которого происходит накопление заряда неравновесных носителей. Приходящий через полтакта положительный импульс установки, рассасывая накопленный заряд, вызывает обратный ток / Обр через ДНЗ, Д3 на триггер, переключая его в единичное состояние. В этом положении триггер-находится в течение второго полутакта и переключается в нуль очередным импульсом сброса. [8]
Анализ [47] показал, что первый этап процесса рассасывания при запирании р - га - р - га-структуры и процесс установления стационарного состояния при включении, рассмотренный в работе [48], имеют общую постоянную времени. Это естественно, так как, хотя оба процесса идут в противоположных направлениях относительно изменения заряда неравновесных носителей в базовых областях, в обоих случаях все три перехода четырехслойной структуры имеют прямое смещение. [9]
В ряде книг по транзисторным генератора [2-4], транзистор рассматривается как устройство, аналогичное электронной лампе. Изложение в настоящей главе не связано с аналогией в свойствах транзистора и лампы. Здесь транзистор рассматривается как устройство, управляемое зарядом неравновесных носителей в базе. При этом удается выявить ряд ранее не учитываемых особенностей и рассмотреть эффективные схемы генераторов, стабильно работающие в реальных условиях. [10]
Страницы: 1