Cтраница 1
Общий вид и габаритные размеры импульсных диодов ( а-г. [1] |
Заряд переключения нормируется при заданном прямом и обратном напряжении. Он представляет собой полный электрический заряд, переносимый во внешнюю цепь обратным током диода после его переключения с прямого тока на импульсное обратное напряжение. [2]
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [3] |
Заряд переключения равен полной величине заряда, протекающего через диод за все время переходного процесса: от момента tz переключения до установления стационарного значения обратного тока. [4]
Заряд переключения QnK - часть накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [5]
Заряд переключения QnK - часть, накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [6]
Схема измерения времени восстановления, использующая туннельный диод ( а и вольтампер-ная характеристика туннельного диода ( б. [7] |
Заряд переключения импульсных диодов измеряется главным образом в лабораторных условиях. [8]
Устройство точечного германиевого диода типа Д2. [9] |
Зарядом переключения Qnep называется заряд, который должен быть выведен из базы для того, чтобы перевести диод в закрытое состояние. [10]
Здесь Q - заряд переключения тиристора, определенный опытным путем с помощью зависимости на рис. 29 при di / dtE / L и заданной амплитуде прямого тока / т; F - переключающая функция, указывающая а то, что при F 0 тиристор находится в состоянии высокой проводимости, а при F 1 переводится в противоположное состояние. [11]
A6i - 5 В); заряд переключения 3 к - полная величина заряда, переносимого обратным током после переключения диода с заданного прямого на обратное напряжение при соответствующих значениях прямого тока и обратного напряжения; максимальное импульсное прямое падение напряжения t / пр.и. макс - максимальное падение напряжения на диоде в прямом направлении при заданной силе импульсного прямого тока; время установления прямого сопротивления / уст - время от момента включения прямого тока диода до момента достижения заданного уровня прямого напряжения на диоде при модуляции сопротивления базы в результате ипжекции носителей через электрический переход; время восстановления обратного сопротивления / Вос - отрезок времени от момента прохождения тока через нуль при переключении диода с прямого на обратное импульсное напряжение до момента достижения обратным током заданного уровня отсчета. Обе составляющие ti и t2 являются важными параметрами, характеризующими импульсный режим работы ДНЗ. Кроме того, ДНЗ характеризуется временем жизни неосновных носителей заряда т - отношением заряда, переносимого переходным обратным током диода, к значению прямого тока при его длительном протекании. [12]
Схема измерения заряда переключения диода. [13] |
Импульсные диоды субнаносекундного диапазона имеют величину заряда переключения порядка 5 - 20 пк, поэтому разрешающая способность схем, используемых для измерения этого параметра, должна составлять 1 - 2 пк, чтобы обеспечить приемлемую для производства полупроводниковых приборов точность измерения. [14]
Переходный процесс переключения диода. [15] |