Некомпенсированный заряд

Cтраница 1

Агрегирование и диспергирование глинистых частиц. [1]

Некомпенсированные заряды на ребрах чешуек способствуют соединению последних и образованию хрупких хлопьевидных структур. Кажущаяся вязкость системы высока, что обусловлено повышенными значениями динамического напряжения сдвига вследствие проявления сил притяжения между чешуйками. Пластическая вязкость может понизиться, поскольку число свободных частиц уменьшается. Это явление наблюдается при попадании в систему незначительного количества электролита, а также при повышении температуры. Электролит препятствует гидратации и диспергированию глины, добавляемой в раствор. [2]

Величину некомпенсированного заряда очень грубо можно оценить, если вычесть из величины заряда ядра ( равного порядковому номеру) число электронов на всех заполненных уровнях. Но эта величина, вследствие электронейтральности атома, равна числу электронов на внешнем уровне. [3]

Нарушение связей на краях алюмокремниевых групп, вызывающее увеличение числа некомпенсированных зарядов, которые уравновешиваются адсорбированными катионами. Нарушения связей создаются не на спайных поверхностях, а на плоскостях, параллельных оси с у слоистых глинистых минералов, и на плоскостях, перпендикулярных оси с у сепиолито-па-лыгорскитовых минералов, а также на углах и ребрах частиц, глинистых минералов. [4]

Нарушение связи вокруг краевых алюмокремниевых единиц, дает повышение числа некомпенсированных зарядов, которые уравновешиваются адсорбированными катионами. Нарушенные связи создаются не на спайных поверхностях, а на вертикальных плоскостях, параллельных оси С, у слоистых глинистых минералов и на горизонтальных плоскостях, перпендикулярных к оси Су у сепиолит-аттапульгит-палыгорскитовых минералов. Число нарушенных связей и обусловливаемая этим емкость обмена увеличиваются с уменьшением размеров частиц. В каолинитовых и гал-луазитовых минералах нарушение связи я: вляется главной причиной обменной способности. Емкость катионного обмена монтмориллонитов и вермикулитов является, главным образом, результат м замещений внутрикристаллической решетки и в не - значительной мере, до 20 %, - результатом нарушения связей. [5]

Условие ( 1) приводит к тому, что в заряженном проводнике некомпенсированные заряды могут располагаться только на поверхности проводника. Для доказательства этого применим теорему Остроградского - Гаусса к произвольной понерхности, ограничивающей некоторый объем внутри проводника. Во всех точках этой поверхности напряженность электростатического поля, по ( 1), равна нулю, так как поверхность проведена внутри проводника. Следовательно, поток напряженности через поверхность равен нулю, вследствие чего равен нулю и общий заряд, находящийся внутри рассматриваемой поверхности. Так как поверхность произвольна, то результат применим к любому участку внутри проводника. Итак, в любом участке, находящемся внутри проводника, помещенного в электростатическом поле, заряд равен нулю. Заряды на заряженном проводнике располагаются лишь на поверхности проводника. [6]

Образование несимметричного ( а и симметричного ( б р-и-переходов. [7]

Наличие несимметрии в распределении приграничных областей р и п объясняется тем, что некомпенсированный заряд в обеих частях перехода должен быть по величине одним и тем же. Большую толщину слоя имеет переход в области с меньшей концентрацией примеси. [8]

Зависимость [ IMAGE ] Зависимость интегральной теплоты дифференциальной теп-адсорбции от количест - лоты адсорбции от нова адсорбированного личества адсорбирован-вещества кого вещества. [9]

Первая причина катионного обмена глинистых минералов - нарушение связей их краев, повышающее некомпенсированные заряды, которые уравновешиваются адсорбированными катионами. По мере диспергирования с уменьшением размера глинистых частиц растет нарушение решетки, повышается неком-пенсированность и увеличивается емкость обмена. В минералах каолинитового типа емкость ионного обмена увеличивается за счет нарушения связей. [10]

Проводниками называются вещества, внутри которых в случае электростатического равновесия электрическое поле равно нулю, т.е. некомпенсированные заряды проводников локализуются в бесконечно тонком поверхностном слое, а если электрическое поле отлично от нуля, то в проводнике возникает электрический ток. [11]

Симбатно с емкостью катионного обмена глинистых минералов или, что то же самое - с плотностью некомпенсированных зарядов кристаллической решетки изменяются величины колебаний условного статического предела текучести. В обратной зависимости от емкости катионного обмена находятся пределы изменений эластичности. [12]

Непрерыв-Таким образом, линии индукции проходят через ность линий индукции. [13]

Очевидно, что молекулы, которые лежат целиком внутри поверхности 5, не создадут внутри этой поверхности некомпенсированного заряда. [14]

Кроме того, из уравнения Пуассона следует, что плотность заряда равна дивергенции электрического поля, деленной на 4л, Поскольку наличие некомпенсированного заряда вызывает появление дальнодействующего макроскопического поля, то, для того чтобы получить электрическое поле, действующее на каждый атом, необходимо разделить найденное выражение а диэлек - трическую проницаемость. [15]

Страницы: 1 2 3