Объемный отрицательный заряд

Cтраница 1

Объемный отрицательный заряд ( в электронных лучах), возникающий между экранной сеткой и анодом, тормозит движение вторичных электронов и заставляет их возвращаться к аноду. [1]

Характеристики диода. [2]

Этот объемный отрицательный заряд отталкивает вылетающие из катода электроны и мешает аноду притягивать их. Если анодное напряжение мало, то только электроны, вылетевшие из катода с большой скоростью, смогут преодолеть действие объемного заряда. Анодный ток в этом случае-сравнительно мал. Нормально лампы работают именно в режиме ограничения. Иногда лишь на небольшие промежутки времени достигается режим насыщения. [3]

Образование р-п-пе-рехода. [4]

Слой объемного отрицательного заряда в области р и слой объемного положительного заряда в области л на рис. 2.1, в выделены пунктирными линиями. Между областями р и п возникает электрическое поле ( на рис. 2.1 в показано стрелками), созданное двумя слоями объемных зарядов, за пределами которых полупроводник остается электрически нейтральным. [5]

Статическая ВАХ дуги. [6]

У поверхности анода наблюдается объемный отрицательный заряд. [7]

Движущиеся частицы пыли, попадая в объемный отрицательный заряд, эмиттированный с поверхности коронирующего катода, заряжаясь отрицательно, притягиваются к заземленным стенкам камеры, где оседают, а затем стряхиваются в бункер. [8]

Относительно малое падение напряжения, обусловленное компенсацией объемного отрицательного заряда электронов, является одним из характерных отличий ионных приборов от электронных. [9]

Газотрон и его условное обозначение.| Вольт-амперная - характеристика газотрона. [10]

Положительные ионы, полученные при ионизации газа, компенсируют объемный отрицательный заряд вблизи ка-то Да, вследствие чего несколько увеличивается электронная эмиссия. [11]

Следовательно, только при этом направлении движения электронов преодолевание объемного отрицательного заряда в слое р облегчено. Разноименные ветви характеристики помещены в одном и том же квадранте; А - при минус контактная проволочка со стороны светящегося слоя - плюс кристалл; Б - при плюс контактная проволочка со стороны светящегося слоя-минус кристалл. [12]

Рост анодного тока в начале анодной характеристики объясняется уменьшением объемного отрицательного заряда электронов. При малых анодных напряжениях отрицательный объемный заряд тормозит движение электронов к аноду. С увеличением анодного напряжения этот заряд полностью исчезает, а так как анод экранирован тремя сетками, анодный ток почти не зависит от анодного напряжения. [13]

Число электронов и ионов в плазме практически одинаково, и объемный отрицательный заряд электронов в приборе оказывается почти скомпенсированным объемным зарядом положительных ионов. Поэтому он не может оказывать ограничивающего действия на прохождение тока в лампе, как в высоковакуумном диоде. Вследствие высокой концентрации электронов и ионов плазма обладает значительной проводимостью, поэтому падение потенциала на разрядном промежутке очень мало ( 0 2 - 0 5 В / см), а потенциал плазмы примерно равен потенциалу анода. [14]

Равновесное состояние р-л-перехода. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5