Cтраница 1
Избыточный заряд дырок в базе п тиристора при t - t продолжает уменьшаться за счет рекомбинации. Когда этот заряд, уменьшаясь, становится меньше критического заряда включения, переходный процесс выключения тиристора считается завершенным. Тиристор считается выключенным, если он способен, не включаясь в открытое состояние, выдержать приложение импульса напряжения с заданной скоростью нарастания. [1]
Избыточный заряд дырок в базе уменьшается по двум причинам: из-за рекомбинации дырок с электронами и выведения дырок из базы через базовый электрод во внешнюю цепь. Подобным образом уменьшается и избыточный заряд неосновных носителей - электронов, численно равный в силу электронейтральности заряду дырок. [2]
Избыточный заряд дырок Qp, накапливаемый со временем в базе диода благодаря инжекции через р - п переход, в точности равен избыточному заряду электронов Q r, накапливаемому за счет инжекции через п - я переход. [3]
При t - tz избыточный заряд дырок в базе п продолжает уменьшаться благодаря рекомбинации дырок и электронов. [4]
В конце этапа рассасывания избыточный заряд дырок в базе равен нулю. [5]
Из-за наличия в л-базе избыточного заряда дырок обратный ток через диод в интервале времен от Т / 2 до ti ограничивается только внешней нагрузкой и сохраняет синусоидальную форму. В момент времени tt концентрация избыточных дырок в n - базе диода на границе с р - п переходом, уменьшаясь, достигает равновесного значения. Напряжение на диоде в этот момент времени падает до нуля. При tt электронно-дырочный переход диода смещается в обратном направлении и сопротивление его резко возрастает. [6]
В начале каждого прямого полупериода избыточный заряд дырок в n - базе диода можно считать равным нулю, так как он успевает практически полностью рассосаться в течение обратного полупериода. [7]
В результате в коллекторной области накапливается избыточный заряд дырок, составляющий большую часть всего избыточного заряда. На границе со скрытым слоем п - типа концентрация инжектированных дырок резко уменьшается из-за влияния тормозящего поля п-п перехода и меньшего времени жизни дырок в скрытом слое. [8]
Ток дырок, рекомби-нирующих в базе, пропорционален избыточному заряду дырок Qp и обратно пропорционален времени жизни дырок Тр, т.е. / ppeK Qp / Tp. [9]
Уравнение ( 2 - 11) показывает, что избыточный заряд дырок в я-базе уменьшается только за счет рекомбинации и не зависит от величины обратного тока. Согласно уравнению ( 2 - 12) большая часть избыточных электронов в р-базе переносится полем объемного заряда перехода Д3 в эмиттер п2 ( первое слагаемое в правой части уравнения); некоторая часть электронов, определяемая вторым слагаемым, исчезает за счет рекомбинации. Зависимость i f ( / обр) особенно сильна в области небольших обратных токов. К концу интервала спада обратного тока t2 переходы i и Я3 восстанавливают запирающие свойства в обратном направлении. [10]
В начальный момент времени ( при / 0) избыточный заряд дырок в л-базе диода Qp ( 0) равен нулю, так как ток через диод равен нулю. [12]
Распределение концентрации дырок в базе транзистора при активном ( прямая Q Qrp граничном ( прямая Qrp и насыщенном ( прямая QQrp режимах. [13] |
Это время, называемое временем рассасывания, обусловлено тем, что избыточный заряд дырок в базе скачком измениться не может. Следовательно, некоторое время коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении и ток коллектора будет оставаться практически постоянным. Процесс рассасывания заканчивается тогда, когда заряд дырок в базе становится равным граничному заряду Qrp. С этого момента времени сопротивление коллекторного перехода резко возрастает и начинается этап формирования заднего фронта. [14]
Нормальные функции каждого перехода восстанавливаются, когда рассасывается накопленный возле него избыточный заряд дырок. [15]