Cтраница 1
Избыточный заряд базы, при котором транзистор выходит из насыщения Оцас к и. [1]
Процесс рассасывания избыточного заряда базы в данной схеме протекает весьма быстро даже при значительной глубине насыщения транзистора. Последнее объясняется особенностью схемы диодной связи ( см. гл. Здесь смещающие диоды, ведущие себя подобно заряженному конденсатору, обеспечивают большой рассасывающий обратный ток базы, замыкающийся через открытые входные диоды и транзисторы предыдущих элементов. В реальных схемах ДТЛ-элементов со смещающими диодами удается получить среднее время задержки порядка десятков наносекунд. [2]
Разность Q-QTfQ 36 называют избыточным зарядом базы. Чем больше избыточный заряд, тем сильнее насыщен транзистор, тем выше степень его насыщения. Как будет показано далее, рассасывание избыточного заряда в базе является одним из явлений, обусловливающих инерционность транзистора при его выключении. [3]
Разность Q - Qrp Qaa0 называют избыточным зарядом базы. Чем больше избыточный заряд, тем сильнее насыщен транзистор. Как будет показано далее, рассасывание избыточного заряда в базе является одним из явлений, обусловливающих инерционность транзистора при его выключении. [4]
При этом отсутствует временная задержка, вызванная рассасыванием избыточного заряда базы. [5]
Рассмотрим случай, когда скорость нарастания напряжения так велика, что рекомбинацию избыточного заряда базы можно не учитывать. [6]
Для количественного рассмотрения переходного процесса используем соотношения (5.9) и (5.10), определив для этого начальные значения избыточного заряда базы для указанных выше этапов переключения. [7]
Схемы с насыщенными транзисторами, естественно, обладают меньшим быстродействием из-за увеличения ta выкл, вызванного рассасыванием избыточного заряда базы. [8]
Временная задержка выключения элемента t3 выкл состоит из времени разряда емкостей Скэ предыдущих элементов после открывания их транзисторов от уровня - Ек до момента отпирания входных диодов и времени рассасывания избыточного заряда базы насыщенного транзистора. [9]
Быстродействие рассматриваемых элементов оказывается относительно невысоким из-за большой глубины насыщения открытых транзисторов. Однако благодаря быстрому рассасыванию избыточного заряда базы через открывающийся транзистор предшествующего элемента здесь все же удается получить значения средней задержки - 100 не. [10]
Рассмотрим, как выбрать L и R. Строгий расчет на предельные условия не будет произведен; выясним лишь, каким образом можно оценить порядок величины этих элементов. В период, когда транзистор включен, индуктивность L запасает ток. Когда входные сигналы поднимаются до 0, пока не будет удален избыточный заряд базы, напряжение на ней остается почти постоянным, равным своему значению при включенном транзисторе. [11]