Избыточный заряд - неосновной носитель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Избыточный заряд - неосновной носитель

Cтраница 1


1 Принципиальная схема потенциально-импульсного счетного триггера.| Принципиальная схема счетного триггера типа К2ТК171. [1]

Избыточный заряд неосновных носителей, накопленный в базе Tz, рассасывается, и транзистор Г2 закрывается.  [2]

Рассчитайте избыточный заряд неосновных носителей в базе, когда транзистор насыщен.  [3]

4 Ненасыщенный ключ. схема ( а, идеализированная вольт-амперная характеристика диода ( б, диаграммы импульсов ( в. [4]

Процесс рассасывания избыточного заряда неосновных носителей в насыщенных транзисторах замедляет их выключение и снижает быстродействие ключей. С целью исключить насыщение применяют схемы ненасыщенных ключей. Идею построения ненасыщенного ключа иллюстрирует схема на рис. 2 - 10, а. Диод и источник Е0 образуют цепь нелинейной отрицательной обратной связи.  [5]

Время рассасывания избыточного заряда неосновных носителей / р увеличивает длительность выходного импульса по отношению к длительности входного импульса: tp tH - и.  [6]

В связи с этим избыточный заряд неосновных носителей в насыщенном режиме в современных транзисторах может заполнять практически почти все области транзисторной структуры.  [7]

В силу большого накопления избыточного заряда неосновных носителей в базе транзистор первое время после изменения входного напряжения остается насыщенным и потому проводящим. По закону Ома входной ток i ( t) Вх ( 0 / б примет значение - Ei / R6, Так как этот ток теперь является втекающим, изменившим направление, то на графике базового тока ( см. рис. 3.85, б) он имеет отрицательное значение. Запирающий базовый ток - EJR начинает рассасывание избыточного заряда в базе транзистора. Степень насыщения транзистора уменьшается.  [8]

Первое слагаемое соответствует времени рассасывания избыточного заряда неосновных носителей в базе, накопленного в результате инжекции из эмиттера, второе - времени рассасывания заряда в базе, накопленного в результате инжекции из коллектора, третье - времени разряда барьерных емкостей коллекторного р - п-перехода и диода Шоттки.  [9]

При выключении необходимо значительное время для устранения избыточных зарядов неосновных носителей сначала из коллектора, а затем из области базы.  [10]

Насыщенное состояние транзистора характеризуется еще одним процессом: накоплением избыточного заряда неосновных носителей в области базы. Это накопление связано со следующим явлением. При ненасыщенном состоянии транзистора между базой и коллектором приложено напряжение, препятствующее проникновению носителей, создающих коллекторный ток, из области коллектора обратно в область базы ( икб I в I - I к I. В режиме насыщения сопротивление переходов становится настолько незначительным, что их приближенно можно считать короткозамкнутыми. При этом напряжение на коллекторе становится практически равным нулю. Эта диффузия и обусловливает появление в при-коллекторной области базы избыточной концентрации электронов, являющейся признаком насыщения транзистора.  [11]

Насыщенное состояние транзистора характеризуется еще одним процессом: накоплением избыточного заряда неосновных носителей в области базы. Это накопление связано со следующим явлением. При ненасыщенном состоянии транзистора между базой и коллектором приложено - напряжение, препятствующее проникновению носителей, создающих коллекторный ток, из области коллектора обратно в область базы ( ык. В режиме насыщения сопротивление переходов становится настолько незначительным, что их приближенно можно считать короткозамкнутыми. При этом напряжение на коллекторе становится практически равным нулю.  [12]

Для расчета переходных процессов в дрейфовом транзисторе с учетом накопления избыточного заряда неосновных носителей в пассивных областях было предложено несколько моделей.  [13]

14 Изменение тока через тиристор ( а и-распределение зарядов в базах ( б при выключении тиристора импульсом напряжения отрицательной. [14]

Вследствие того что концентрация неравновесных носителей в узкой базе р-типа значительно меньше, чем в широкой базе - типа, исчезновение избыточного заряда неосновных носителей ( электронов) в ней происходит быстрее, чем в базе и-типа, и в момент времени /, концентрация неравновесных электронов в базе р-типа у эмиттер-ного перехода / 3 становится равной нулю.  [15]



Страницы:      1    2    3