Cтраница 1
Накопленные заряды в линии после их освобождения от удерживающих сил ( от влияния грозовой тучи) распадаются на две одинаковые волны с половинными значениями напряжений. Пока волны не разойдутся, напряжения в соответствующих точках складываются, а токи вычитаются. В дальнейшем эти половинные волны перемещаются независимо друг от друга к концам линии. [1]
Накопленный заряд позволяет при открывании транзистора Tv создать мощный бросок тока в его эмиттере, а следовательно, и в базе транзистора Ti, что способствует формираванию крутого положительного фронта выходного импульса. [2]
Накопленный заряд при 20 С с увеличением времени обработки образца в серной кислоте от 15 до 60 ч повышается на порядок. С повышением концентрации кислоты QHaK увеличивается, причем, тем больше, чем больше время окисления образца. При изменении температуры 10 - 30 % - ных растворов соляной кислоты с 20 до 60 С величина QHaK для образцов, обработанных в течение 15 - 30 ч, практически не изменяется, а для обработанных в течение 40 ч и более - увеличивается, особенно в 10 % - ной соляной кислоте. [3]
Схемы цепей разряда конденсатора. [4] |
Весь накопленный заряд используется при разряде конденсатора через воздушный промежуток между электродами. Мгновенный ток искры достигает больших значений, так как продолжительность разряда мала. [5]
Весь накопленный заряд используется при разрядке конденсатора через воздушный промежуток между электродами. Мгновенный ток искры достигает больших значений, так как продолжительность разряда мала. [6]
Измерение накопленного заряда производится стандартным методом, заключающимся в измерении заряда, протекающего через внешнюю цепь, при воздействии на диод, находящийся в режиме прямого смещения, импульса обратного напряжения с большой амплитудой. [7]
Величина накопленного заряда зависит от емкости между заряженным элементом поверхности мишени и остальными электродами. [8]
Мозаика иконоскопа. [9] |
Коммутация накопленных зарядов во всех типах передающих трубок осуществляется сфокусированным электронным лучом, развертываемым по строчному растру на накопительном устройстве. [10]
Количество накопленного заряда при заданном соотношении площади поверхности протектора S и площади защищаемого аппарата SA определяет время сохранения пассивного состояния поверхности в отсутствие поляризующего тока. [11]
Отсутствие накопленного заряда неосновных носителей обеспечивает высокую скорость переключения полевых транзисторов и лучшие динамические характеристики по сравнению с биполярными аналогами. [12]
Запоминающее устройство на электронно-лучевых трубках с поверхностным перераспределением зарядов. [13] |
Так как накопленные заряды постепенно стекают, то для длительного сохранения эти заряды должны периодически восстанавливаться. С этой целью в устройствах предусматриваются специальные схемы восстановления записи, обеспечивающие последовательное считывание и одновременную запись всех данных, хранящихся в запоминающем устройстве. [14]
Для снятия накопленного заряда на затвор подается отрицательное напряжение, равное по абсолютной величине напряжению-записи. [15]