Cтраница 3
Эпюры тока и напряжения при выключении тиристора с приложением обратного напряжения.| Распределение избыточных дырок в базе HI тиристора в процессе выключения с приложением обратного напряжения. [31] |
Это связано с тем что накопленный заряд и время жизни электронов в базе pz существенно меньше, чем накопленный заряд и время жизни дырок в базе пг. Однако напряжение пробоя перехода / з не превышает примерно 10 В. Поэтому восстановление обратного сопротивления перехода / з практически не приводит к ограничению обратного тока через тиристор. Обратный ток через тиристор продолжает возрастать до тех пор, пока концентрация дырок в базе П ] на границе с переходом / i в момент времени tz не упадет до нуля. В этот момент времени обратный ток через тиристор достигает максимального значения. После этого переход / i смещается в обратном направлении и его сопротивление быстро возрастает. [32]
Модуляция сопротивления базы из-за появления накопленного заряда отсутствует. [33]
Заряд переключения QnK - часть накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [34]
При выключении в режиме больших токов накопленный заряд частично выводится обратным током, однако этот эффект значительно ослабевает при использовании цепей коммутации с конечным внутренним сопротивлением. [35]
Таким образом, ток термогенерации создает накопленный заряд, в Ю раз больший, чем заряд, создаваемый исходным световым сигналом, В результате он ухудшает разрешающую способность и чувствительность ПВМС. [36]
Вследствие этого при снятии считывающим пучком накопленного заряда с какого-то элемента происходит частичное снятие заряда с соседних элементов, так называемое предварительное считывание. При облучении предварительно считанной строки пучок модулируется меньшим зарядом и сигнал на выходе трубки получается меньшим по величине. [37]
Заряд переключения QnK - часть, накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [38]
Вариант интегрирующего ВР с диодным дифференциальным детектором, а - схема. б - временные диаграммы, иллюстрирующие действие схемы. Д в р Д. [39] |
В интервалах между импульсами конденсатор С2 теряет накопленный заряд ( рис. 22 - 89 6), разряжаясь через резистор 2 на конденсатор С. Процесс заканчивается к приходу очередного импульса. [40]
При развертке следующего кадра электронный луч компенсирует накопленные заряды, как бы стирая потенциальный рельеф, и создает на нагрузочном сопротивлении сигнал изображения. Возникающий при этом ток проходит по цепи: катод - - электронный луч - фотомишень - сигнальная пластина - нагрузочное сопротивление - катод. [41]
Зависимость времени эффективной обработки графитового протектора от защитной плотности тока. [42] |
Для расчета продолжительности защиты протектором необходимо знать накопленный заряд, плотность защитного тока и соотношение площадей защищаемой поверхности и катодного протектора. Если титановый электрод опускать в раствор при 20 С под током, то минимальная плотность тока, необходимая для пассивации в 15 % - и 25 % - ных растворах соляной кислоты, равна 1 и 3 А / м2, соответственно. При более высокой концентрации и температуре плотность тока полной пассивации увеличивается и время защиты протектором будет, соответственно, меньше. [43]
Большое сопротивление обеспечивает малые токи утечки и большой накопленный заряд. Диэлектрические покрытия должны быть однородными по толщине, обладать хорошей оптической прозрачностью, не иметь сквозных пор и механических дефектов. [44]
Память, в которой носителями информации являются накопленные заряды статического электричества на поверхности диэлектрика. [45]