Накопленный заряд

Cтраница 4

При коммутации мишени электронным лучом возникает считывание накопленных зарядов. К тому же они шунтируются поперечной проводимостью пленки. Так что потенциалы обеих сторон мишени можно считать близкими друг другу. [46]

ЗУ), в котором носителями данных являются накопленные заряды статического электричества на поверхности диэлектрика. [47]

Холловский диод, эквивалентный рассматриваемому в отношении величины накопленного заряда в / - области и, таким образом, обладающий равным значением г, имеет время жизни ННЗ, равное тэф. [48]

Особенно существенным влияние толщины базы на время рассасывания накопленного заряда становится при W Lp. Так, например, при W 0 1 Lp время ti снижается приблизительно в 100 раз. [49]

Накопители с непрерывным ( а и дискретным ( б отсчетом показаний. [50]

При анализе линейного накопителя предполагается, что вклад в накопленный заряд конденсатора пропорционален напряжению на входе u ( t) вне зависимости от заряда конденсатора, но при наличии диода это нг так. [51]

Одним из главных недостатков биполярных транзисторов является необходимость удаления избыточного накопленного заряда при выключении. Это сопровождается увеличением временного параметра, называемого временем рассасывания. При достаточно глубоком насыщении ключа время рассасывания может увеличиваться до единиц, а то и десятков микросекунд. Это не только ухудшает динамические свойства транзистора, но и может приводить к режимам перегрузки, например, в схемах мостовой конфигурации. Для решения проблемы используют цепи нелинейной обратной связи, что существенно усложняет схемотехнику устройства ( как минимум четыре дополнительных диода на ключ), или применяют систему пропорционального токового управления, что дополнительно нагружает систему формирователя импульсов В серии транзисторов PowerLux - D2 фирмы ON-Semiconductor данная проблема решена на интегральном уровне. [52]

При подаче на диод обратного ( запирающего) напряжения рассасывание накопленного заряда происходит так, как описано в § 8.2. При этом внутреннее поле способствует дрейфу дырок к р-п переходу и препятствует их распростра нению вглубь базы. Вследствие этого отдаваемый диодом заряд, а соответственно и длительность фазы tit у диффузионных диодов оказываются больше, чем у сплавных с таким же значением тр, но с однородным распределением примесей в базе. [53]

Мерой скорости заряда конденсатора является зарядный ток, мерой пути - накопленный заряд или пропорциональное ему напряжение на конденсаторе. [54]

Только при емкости С в несколько десятков тысяч пикофарад, когда первоначально накопленный заряд достаточно велик, уменьшение напряжения ис можно не учитывать. [55]

Стирание информации в ПЗУ с ультрафиолетовым ( УФ) раз1 рушением накопленного заряда производится воздействием в течение 30 мин потока УФ-излучения ( длина волны Я400нм), направленного перпендикулярно плоскости входного окна корпуса микросхемы. При этом должны соблюдаться следующие условия: энергетическая освещенность УФ-излучения ЕЭЮО Вт / м2, интегральная доза облучения 10Вт - с / см2, температура корпуса микросхемы не более 70 С. [56]

Импульсный усилитель искажает задний фронт импульса, который формируется при стекании накопленного заряда через С-цепь входа. Для улучшения заднего фронта импульса необходима тщательная регулировка схемы, причем наилучшим образом это может быть сделано для узкого - диапазона скоростей движущихся частиц. [57]

Таким образом, применение тонкой базы является эффективным средством снижения величины накопленного заряда, что, как увидим далее, существенно повышает быстродействие диода. [59]

Дырки и электроны, вводимые в базу диода прямьш током, образуют накопленный заряд QH диода. [60]

Страницы: 1 2 3 4