Критический заряд

Cтраница 1

Иногда критический заряд повышают с помощью источника обратного тока управления в цепи управляющего электрода. [1]

Превышение критического заряда приводит к включению тиристора в открытое состояние. [2]

Утопия Ллатона содержала очень сильный критический заряд, но пояснительным основанием последующего развития политической теории сна стала только в составе концепции общества Аристотеля Стапфита, который истолковал идеи Платона реалистически. Эти два мыслителя представляют собой два полюса социального мышления: утопического и реалистического. [3]

Однако из-за роста критического заряда включения с повышением эффективности технологической шунтировки при прочих равных условиях возрастают времена включения ( и времена задержки), увеличиваются импульсные напряжения в открытом состоянии, уменьшаются ударные неповторяющиеся токи в открытом состоянии, падает di / dt - стойкость тиристоров, уменьшаются времена выключения тиристоров, возрастают отпирающие и неотпирающие токи и напряжения управления. [4]

Входящая в это равенство величина критического заряда QKpnT известна либо как параметр данного тиристора, либо она определяется опытным путем. [5]

Диаграмма составляющих токов ( а и вольт-амперная. [6]

Поэтому для того чтобы накопить в базах критический заряд QKpHT, не требуется такого собственного тока коллекторного перехода, как в неуправляемых тиристорах. [7]

Включение тиристора происходит при накоплении в базах некоторого критического заряда QKP [ см. (3.59) ], т.е. тиристор, как и биполярный транзистор, управляется зарядом. [8]

Схемные методы повышения помехоустойчивости тиристоров. а - шунтировка входа. б - - последовательное включение диодов. [9]

Схемные методы защиты от помех сводятся к искусственному увеличению критического заряда. [10]

С этапом задержки включения тиристора тесно связан этап накопления критического заряда включения. [11]

Согласно результатам работы [182], для ядра конечного размера с критическим зарядом эти поправки приближенно компенсируют сдвиг энергии из-за поляризации вакуума. [12]

Влияние тока управления на время задержки t3 анодного тока ( а и зависимость минимально необходимой ширины импульса управления от амплитуды его ( б. [13]

Влияние величины тока управления на время задержки ta объясняется необходимым накоплением критического заряда в базе pz до значения QKpim при котором начинает развиваться регенеративная стадия процесса нарастания анодного тока. [14]

Зависимость коэффициентов передачи от тока тиристора при комнатной температуре. [15]

Страницы: 1 2 3 4