Критический заряд - включение - тиристор
Cтраница 1
Критический заряд включения тиристора возрастает с уменьшением сопротивления шунтировки перехода / 3, так как зависимость а 2, а следовательно, и ai ct2 сдвигается при этом в сторону больших токов. [2]
Обозначим критический заряд включения тиристора через QKp, а соответствующие значения тока - через / одс. [3]
 |
Зависимости времени задержки включения тиристора t3 и времени накопления критического заряда н от тока / с.| Зависимость времени задержки включения тиристора от напряжения в закрытом состоянии. [4] |
При значениях IG, близких к IGT, время накопления критического заряда включения тиристора велико. За время накопления критического заряда динамические коэффициенты усиления составных транзисторов тиристора успевают возрасти в достаточной мере, чтобы обеспечить последующее лавинообразное нарастание анодного тока. [5]
Технологическая шунтировка перехода / з тиристора, как было показано в § 7.6, приводит к увеличению критического заряда включения тиристора. [6]
 |
Расчетные зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критического заряда включения тиристора от сопротивления шунтировки перехода / з. [7] |
Рекомбинация неравновесных носителей в слоях объемного заряда прямосмещенных эмиттерных переходов приводит к снижению коэффициентов инжекции и тем самым к увеличению критического заряда включения тиристора. Поэтому du / dtf - стойкость тиристоров возрастает с повышением рекомбинации неравновесных носителей в слоях объемного заряда эмиттерных переходов. [8]
 |
Расчетные зависимости нормированного времени выключения тиристора от обратного напряжения.| Зависимость нормированного времени выключения тиристора от температуры. [9] |
При постоянных значениях скорости нарастания анодного напряжения зависимости времени выключения tq от амплитуды импульса анодного напряжения по характеру аналогичны зависимостям, изображенным на рис. 8.25. С ростом амплитуды импульса анодного напряжения критический заряд включения тиристора уменьшается, а накопленный в базовых слоях заряд увеличивается. [10]
Для того чтобы какой-либо участок тиристора перешел из закрытого состояния в открытое, необходимо, чтобы в базовых слоях тиристора на этом участке накопился критический заряд включения. Очевидно, что чем больше плотность критического заряда включения тиристора, тем больший промежуток времени требуется при прочих равных условиях, чтобы в невключенном участке тиристора накопился критический заряд. [11]
Это и приводит к увеличению критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии с ростом предварительного смещения в прямом направлении. Более того, при некотором предварительном смещении плотность вносимого заряда электронов в базу п становится в точности равной плотности критического заряда включения тиристора. Критическая скорость нарастания напряжения при этом становится бесконечно большой и перестает зависеть от дальнейшего роста предварительного смещения в прямом направлении. [12]
Левая часть (8.16) обозначает заряд, накопленный под воздействием емкостного тока коллекторного перехода. Из этой формулы следует, что напряжение переключения и скорость нарастания напряжения связаны таким образом, что накопленный заряд в точности равен критическому заряду включения тиристора. [13]
Это имеет место в случае измерения tg при высоких скоростях нарастания повторно прикладываемого импульса напряжения и объясняется следующим образом. При высоких скоростях нарастания анодного напряжения заряд, накапливаемый в базах тиристора под воздействием емкостного тока коллекторного перехода, близок к критическому заряду включения и разность QKp - Quau мала. С ростом температуры критический заряд включения тиристора уменьшается. Чем выше температура, тем меньше разность QKp - QHaK и тем быстрее эта разность уменьшается с ростом температуры. [14]
Типичная зависимость QKp от напряжения на тиристоре представлена на рис. 7.29. Резкое увеличение QKp с уменьшением напряжения при значениях, близких к напряжению переключения, связано с уменьшением коэффициента лавинного умножения носителей в коллекторном переходе. Ток / ОДо при этом быстро возрастает, а следовательно, растет и QKp. При напряжениях, меньших напряжения пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей практически отсутствует. Относительно медленный рост QKp с уменьшением напряжения связан при этом с уменьшением а и az из-за снижения степени модуляции толщин базовых слоев. Поэтому возрастает и критический заряд включения тиристора. [15]
Страницы: 1