Подвижной заряд

Cтраница 1

Подвижные заряды в полупроводнике образуются при ионизации. Под действием тепла, света, космических лучей и других возбудителей электроны вырываются из отдельных атомов и переносятся на другие. Получаются положительные и отрицательные ионы. Движение образовавшихся при ионизации зарядов в электронных полупроводниках следует отличать от сквозного движения ионов в веществе. Сквозному движению ионов в электронном полупроводнике препятствуют окружающие его нейтральные атомы. Перемещение зарядов происходит путем их передачи от одного атома к другому. Например, отрицательно зарядившийся ион при соударении с нейтральным атомом передает ему свой избыточный электрон. Избыточный электрон тем самым, как эстафетная палочка, передается от атома к атому. Так продвигается свободный отрицательный заряд - электрон. Точно так же движется положительный заряд. Положительный ион отбирает при столкновении недостающий электрон у соседнего нейтрального атома. Этот атом в свою очередь становится положительным ионом. Такой ион как бы переносит пустое место, на которое может быть захвачен электрон. Поэтому подвижные положительные заряды в полупроводнике называют дырками. В конечном счете и движение электрона и движение дырки обусловливаются взаимным переходом электронов между соударяющимися атомами. Отличие заключается лишь в том, что в промежутках между электронными переходами движется либо отрицательный заряд, либо положительная дырка. [1]

При удалении подвижных зарядов из приконтактного слоя удельное сопротивление в этом слое возрастает на несколько порядков, достигая величины удельного сопротивления беспримесного полупроводника. Это возрастание часто, например в случае закиси меди, порядка 106 раз. Поэтому слой в 10 - см создает добавочное сопротивление, равное сопротивлению добавочного слоя полупроводника толщиной 10 - 5 10 10 см. Если действительная толщина образца составляла 1 мм, то добавочное сопротивление на двух электродах окажется в 100 раз больше внутреннего сопротивления образца. Измеряя его сопротивление сначала между золотыми или графитовыми электродами, обладающими более высоким контактным потенциалом, а затем между алюминиевыми или магниевыми с меньшим контактным потенциалом, мы во втором случае измерим в 100 раз большее сопротивление, чем в первом. [2]

При удалении подвижных зарядов из прикоптактного слон удельное сопротивление в этом слое возрастает на несколько порядков, достигая величины удельного сопротивления беспримесного полупроводника. Поэтому слой в 10 - 5 см создает добавочное сопротивление, равное сопротивлению добавочного слоя полупроводника толщиной 10 - 5 10 10 см. Если действительная толщина образца составляла 1 мм, то добавочное сопротивление на электродах окажется в 100 раз больше внутреннего сопротивления образца. Измеряя его сопротивление сначала между золотыми или графитовыми электродами, обладающими более высокимкон-тактным потенциалом, а затем между алюминиевыми или магниевыми - с меньшим контактным потенциалом, мы во втором случае измерим в 100 раз большее сопротивление, чем в первом. [3]

В металлических проводниках подвижными зарядами являются электроны, слабо связанные с ионами металла, так называемые свободные электроны. В электролитах ток создается движением положительных и отрицательных ионов - обладающих зарядом частей молекул растворенного вещества. Прохождение электрического тока в металлических проводниках и газах обычно не связано с переносом вещества. [4]

В металлических проводниках подвижными зарядами являются электроны, слабо связанные с иояамя металла, так называемые свободные электроны. В электролитах ток создается движением положительных и отрицательных ионов - обладающих зарядом частей молекул растворенного вещества. Прохождение электрического тока в металлических проводниках и газах обычно не связано с переносом вещества. [5]

В нормальных условиях концентрация подвижных зарядов, образуемых в результате ионизации основных атомов полупроводника, крайне мала. Поэтому широко используются так называемые примесные полупроводники, образование подвижных зарядов в которых облегчено. Такие полупроводники получают путем специальной технологической обработки. В простейших примесных полупроводниках между обыкновенными атомами полупроводника имеются атомы некоторых химических элементов. Примеси других атомов сильно изменяют электрические свойства полупроводника. [6]

Эквипотенциальные поверхности в области объемного заряда коллектора транзистора типа р-п - р при наличии протонов.| Гистерезис обратной ветви вольт-амперной характеристики прибора при наличии протонов на поверхности. [7]

На гидротированной поверхности германия имеются подвижные заряды - протоны, имеющие коэффициент диффузии порядка 10 см2 / сек. Эти протоны притягиваются полем к электронно-дырочному переходу. В результате у поверхности на меньшем расстоянии падает тот же потенциал, напряженность поля в приповерхностном слое возрастает и эквипотенциальные поверхности у поверхности сужаются. На рис. 7 - 26 изображены эквипотенциальные поверхности и направление поля. [8]

Случай полупроводника с одинаковым числом подвижных зарядов обоих знаков имеет то преимущество, что электрические свойства полупроводника не зависят от примесей или отступлений от точного стехиометрического соотношения составляющих его элементов. Такие материалы отличаются гораздо большей устойчивостью. [9]

Чем в основном обусловлено образование подвижного заряда в оксиде. [10]

Схема температурных зависимостей поверхностного заряда в структуре Si - SiO2 ( треугольник Дила. [11]

Поэтому в данной ситуации возрастает роль подвижного заряда. [12]

Поскольку из-за действия сильного электрического поля концентрация подвижных зарядов в переходе значительно ниже концентрации неподвижных зарядов, можно считать, что нескомпенсированный заряд в переходе определяется концентрацией доноров и акцепторов. Так как в рассматриваемом случае концентрация доноров Nu в п-области ниже концентрации акцепторов Na в р-области, а суммарные заряды Qp и Qn на каждом из этих участков должны быть равны друг другу, переход проникает в менее легированную n - область на большую глубину 8п, чем в р-область, имеющую большую концентрацию примесей. [13]

Положим, например, что при концентрации подвижных зарядов п потребуется 10 л зарядов в кубическом сантиметре контактного слоя для компенсации поля. При этом удельная электропроводность слоя возрастет всего в 10 раз, тогда как при заряде противоположного знака почти все подвижные заряды будут выведены из слоя и заменятся ионами; сопротивление слоя при этом может возрасти в тысячи раз. [14]

Положим, например, что при концентрации подвижных зарядов п потребуется 10и зарядов в кубическом сантиметре контактного слоя для компенсации поля При этом удельная электропроводность слоя возрастает всего в 10 раз, тогда как при ноле противоположного знака почти все подвижные заряды будут выведены из слоя и заменятся ионами; сопротивление слоя при этом может возрасти в тысячи раз. [15]

Страницы: 1 2 3 4