Относительный разброс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Лучше уж экстрадиция, чем эксгумация. Павел Бородин. Законы Мерфи (еще...)

Относительный разброс

Cтраница 3


График служит для оценки регуляризирующего действия пересчетных устройств. Из него следует, что относительный разброс значений временного интервала уменьшается, если брать более далекие импульсы. Импульсы на выходе пересчетных устройств не только расположены в среднем в N0 раз реже, но и относительная нерегулярность их следования уменьшается в У NO раз.  [31]

С точки зрения обоснованности выбора определяющего размера значения 5 / Рм являются более оправданными по сравнению с величиной / 5, так как входящий в знаменатель периметр миделевого сечения включает в себя не только учет формы, но и ориентацию тела в потоке. Тем не менее обработанные по такой методике данные дают еще больший относительный разброс точек.  [32]

33 Зависимости среднего суммарного времени простоя до выполнения задания от минимального времени выполнения задания при различных параметрах распределения Вейбулла времени безотказной работы. [33]

С увеличением различия в гпр становятся заметными. При неизменном показателе t0 в сравниваемых системах, напротив, наибольший относительный разброс значений Гпр наблюдается как раз при малых t - t, а с увеличением задания он уменьшается.  [34]

Что касается доли, происходящей от электронных столкновений, то из (5.8) и используя (5.16) получим выражение для Qs ( Rex) jRfX, совершенно аналогичное (5.9) и (5.10), за исключением несколько измененного численного множителя, возникающего из-за другой связи между пробегом и скоростью. Таким образом, благодаря большой массе тг в случае осколков деления для относительного разброса получим величину порядка 0 1 %, что пренебрежимо мало по сравнению с долей разброса, обусловленной ядерными столкновениями.  [35]

Разброс параметров транзисторов в балансной схеме с несимметричным выходом мало влияет на / Ci - К. К иэ2 относятся к одному и тому же транзистору Т а изменение Кип при относительном разбросе параметров транзисторов 610 % не превышает 1 % от Кит при одинаковых параметрах.  [36]

Интегральная технология имеет ряд достоинств, которые позволяют разрабатывать аналоговые ИМС с параметрами, практически недостижимыми в схемах на дискретных элементах. К этим достоинствам можно отнести отклонение в одну сторону номинальных значений сопротивлений всех диффузионных резисторов; малый относительный разброс характеристик активных элементов; возможность близкого взаимного расположения элементов, что определяет их практически одинаковую температуру; возможность выбора оптимальных размеров транзисторов.  [37]

38 Масс-спектрограф типа Маттауха-Герцога. [38]

К 90; е я ( 4У2Т 31 40 /; / е ае / 1 / 1Г Расстояние между двумя полями произвольно. Предпочтительно более короткое расстояние, что приводит к уменьшению рассеяния на атомах остаточных газов и для данного относительного разброса по энергиям уменьшает сферические аберрации магнитного поля. Однако электрическое поле нельзя располагать очень близко к магнитному, поскольку краевая область магнитного поля оказывает неблагоприятное влияние на разделение по энергиям и условия фокусировки в электрическом поле. Если пучок ионов, образующийся в источнике, имеет небольшой разброс по энергиям, этот эффект вызывает большие дискриминации по массам.  [39]

Большая конверсионная эффективность сцинтиллятора облегчает, например, регистрацию излучения малой энергии па фоне шумов фотоумножителя. Сцинтилляции большей интенсивности вырывают больше фотоэлектронов из фотокатода, а это, в силу законов статистики, приводит к меньшему относительному разбросу их числа и, следовательно, к меньшему разбросу импульсов при той же энергии частицы. Таким образом, сцинтилляторы с большой конверсионной эффективностью позволяют проводить спектрометрические измерения потоков частиц ( квантов) с лучшим разрешением.  [40]

Давление прессования на современных формовочных машинах равно 0 8 - 4 МПа. При увеличении давления прессования свыше 1 - 1 5 МПа несколько увеличивается нижнее значение плотности смеси в форме, однако относительный разброс плотности в различных участках полуформы ( отношение плотностей в наиболее и наименее уплотненных частях формы) при этом изменяется незначительно. Вместе с тем при увеличении давления прессования необходимо применять более жесткую оснастку и опоку и более мощные прессовые механизмы.  [41]

Разброс параметров транзисторов в балансной схеме с несимметричным выходом мало влияет на Ki - Кз - Кип К. К иэз, так как Киб2 и К иэ2 относятся к одному и тому же транзистору Т2, а изменение Кит при относительном разбросе параметров транзисторов 6 10 % не превышает 1 % от Кит при одинаковых параметрах.  [42]

43 Кривые распределения прочности образцов ненаполненной ( а и наполненной ( б резины на основе бутадиен-стирольного каучука. [43]

Как видно из рис. 1.3, с уменьшением толщины образцов кривые смещаются в сторону больших значений прочности, но разброс данных при этом увеличивается. Кривые для ненаполненной резины отвечают нормальному распределению, и наивероятнейшая прочность может быть рассчитана как среднеарифметическое значение при заданной толщине образца. В то же время относительный разброс прочности практически не зависит от толщины образцов.  [44]

45 Кривые распределения прочности бутадиен-стирольной резины. [45]



Страницы:      1    2    3    4