Cтраница 2
Лавинный пробой происходит при значениях обратного напряжения вплоть до 500 В для германия и 1000 В для кремния. [16]
Каким же должно быть это значение обратного напряжения и почему наступает пробой. [17]
Для повышения надежности целесообразно устанавливать значение обратного напряжения на 20 % ниже его номинального значения. [18]
Наименьшее обратное пробивное напряжение - значение обратного напряжения, которое может кратковременно выдержать диол данного типа. Если приложенное к диоду обратное напряжение даже немного превзойдет обратное пробивное напряжение, то обратный ток резко возрастет до недопустимо большого значения и диод может выйти из строя. [19]
Характерными особенностями силовых диодов являются боль-пие значения обратного напряжения и прямого тока. [20]
Наименьшая амплитуда обратного пробивного напряжения - значение обратного напряжения, которое может кратковременно выдержать диод. Увеличение этого, напряжения даже на малую величину выводит диод из строя. [21]
Лавинный транзистор-транзистор, предназначенный для работы при таких значениях обратного напряжения на коллекторном переходе, при которых развивается лавинное умножение носителей и за счет этого коэффициент усиления по току а становится больше единицы. Поскольку у плоскостных транзисторов в отсутствие лавинного умножения значение а лишь немногим меньше единицы, достаточно сравнительно слабого умножения для получения значений а, превышающих единицу. [22]
Для диодов Д1, Д9, Д101 и ДЮЗ значения обратных напряжений наибольшие. [23]
Напряжение на выпрямителе не должно превышать приведенного в таблице значения обратного напряжения, являющегося максимальным. [24]
Из теории Р - УУ-перехода известно, что изменение значения обратного напряжения вызывает пропорциональное изменение ширины прикон-тактного слоя P - jV - перехода, обедненного носителями тока и представляющего очень большое сопротивление току. Изменением значения отрицательного напряжения на затворе осуществляется изменение объемного сечения канала 3 для протекания ТОКЕ / с: при увеличении напряжения U3 оба Р - / У-перехода расширяются, сечение токо-проводящей части канала 3 уменьшается, а сопротивление канала увеличивается; при уменьшении U2, наоборот, суживаются оба P-N перехода и рабочее сечение канала 3 увеличивается, уменьшается его сопротивление току / с. Для каждого напряжения U3 имеется своя точка насыщения Я, чем характеризуется своеобразное сужение токопроводящей части канала. При напряжении отсечки на затворе 1 / 3.0 - 40 В ( в частном случае) ширина обедненных носителями слоев каждого P-W - перехоца становится настолько большой, что они смыкаются, рабочее сечение канала становится равным нулю и тек / с прекращается. [25]
Допустимое обратное напряжение С / 0бр - среднее за период значение обратного напряжения, при котором обеспечивается надежная и длительная работа диода. При повышении температуры 1 / 0бр и / о, как правило, снижаются. [26]
Наиболее существенно это время зависит от температуры р-п перехода и значения обратного напряжения. [27]
Лавинный транзистор - транзистор, предназначенный для работы при таких значениях обратного напряжения на коллекторном переходе, при которых развивается лавинное умножение носителей и за счет этого коэффициент усиления по току а становится больше единицы. Поскольку у плоскостных транзисторов в отсутствие лавинного умножения значение а лишь немногим меньше единицы, достаточно сравнительно слабого умножения для получения значений а, превышающих единицу. [28]
Лавинный транзистор - транзистор, предназначенный для работы при таких значениях обратного напряжения на коллекторном переходе, при которых развивается лавинное умножение носителей и за счет этого коэффициент усиления по току а становится большим единицы. Поскольку у плоскостных транзисторов в отсутствие лавинного умножения значение а лишь немногим меньше единицы, достаточно сравнительно слабого умножения для получения значений а, превышающих единицу. [29]
Значения постоянных прямых токов точечных диодов не превышают 50 мА, а значения допустимых постоянных обратных напряжений - 150 В. Для микросплавных диодов эти параметры имеют большие значения. [30]