Значение - пороговое напряжение
Cтраница 1
Значения пороговых напряжений С / ( ГО) силовых кремниевых диодов слабо зависят от их конструктивных особенностей. [1]
 |
Структура бистабильных МДП транзисторов с однослойным диэлектриком. [2] |
Это значение порогового напряжения соответствует состоянию логической 1 элемента. Приложение к затвору отрицательного напряжения - 25 В приводит к увеличению ( по абсолютному значению) порогового напряжения до Ug, которое соответствует состоянию логического 0 элемента. МНОП транзистор работает как обычный МДП транзистор с индуцированным каналом. [3]
Это повышает значение порогового напряжения на входе, что, в свою очередь, позволяет применить р-п диоды VD1 и VD2 для реализации на входе иВх1 5 В. [4]
Это повышает значение порогового напряжения на входе, что, в свою очередь, позволяет применить р - n диоды VD1 и VD2 для реализации на входе UBxl5 В. [5]
Поэтому триггер обладает двумя значениями порогового напряжения: U01 - для перехода от состояния покоя к рабочему; Ulo U01 - для перехода от рабочего состояния к покою. [6]
 |
Вольт-фарадная характеристика МДП-структуры. [7] |
При превышении t / 3H значения порогового напряжения в МДП-структуре происходит инверсия проводимости приповерхностного слоя: поверхностная концентрация дырок в инверсионном слое растет экспоненциально с напряжением, а поверхностный потенциал увеличивается пропорционально квадрату толщины обедненной области / 0 [ см. ( 4.5 а) ], После того как значение / о достигнет максимальной величины, дальнейшее приращение отрицательного заряда на затворе будет компенсироваться возрастанием концентрации дырок в канале. Появление избыточных дырок обеспечивается достаточно медленной генерацией электронно-дырочных пар в ОПЗ. [8]
 |
Параметры нагружения образцов и значения пороговых фибровых напряжений8. [9] |
Приведенные в работе / 363 / значения пороговых напряжений несколько ниже полученных расчетных данных. [10]
Считывание хранимой в ЗЭ информации сводится по существу к проверке значения порогового напряжения МДП транзистора. [11]
При резком увеличении скорости нарастания прямого напряжения dUldt тиристор может открыться еще до достижения значения статического порогового напряжения. Емкостный ток вызывает открытие тиристора при напряжении меньше порогового. Допустимое значение dU / dt при повышении температуры уменьшается, а при увеличении силы тока управления возрастает. [12]
Для построения зависимостей PF ( AV) от среднего значения прямого тока предварительно путем прямолинейной аппроксимации предельных прямых ВАХ диодов определяются значения порогового напряжения U ( TO) и дифференциального прямого сопротивления гт. [13]
Если поверхностный заряд и контактная разность потенциала не равны нулю, а концентрация примесей у поверхности не постоянна, то это сказывается только на значении порогового напряжения, сам же вид формул не изменяется. [14]
 |
Инверторы с нелинейной и квазилинейной нагрузками. [15] |
Страницы: 1 2 3