Значение - пороговое напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Есть люди, в которых живет Бог. Есть люди, в которых живет дьявол. А есть люди, в которых живут только глисты. (Ф. Раневская) Законы Мерфи (еще...)

Значение - пороговое напряжение

Cтраница 1


Значения пороговых напряжений С / ( ГО) силовых кремниевых диодов слабо зависят от их конструктивных особенностей.  [1]

2 Структура бистабильных МДП транзисторов с однослойным диэлектриком. [2]

Это значение порогового напряжения соответствует состоянию логической 1 элемента. Приложение к затвору отрицательного напряжения - 25 В приводит к увеличению ( по абсолютному значению) порогового напряжения до Ug, которое соответствует состоянию логического 0 элемента. МНОП транзистор работает как обычный МДП транзистор с индуцированным каналом.  [3]

Это повышает значение порогового напряжения на входе, что, в свою очередь, позволяет применить р-п диоды VD1 и VD2 для реализации на входе иВх1 5 В.  [4]

Это повышает значение порогового напряжения на входе, что, в свою очередь, позволяет применить р - n диоды VD1 и VD2 для реализации на входе UBxl5 В.  [5]

Поэтому триггер обладает двумя значениями порогового напряжения: U01 - для перехода от состояния покоя к рабочему; Ulo U01 - для перехода от рабочего состояния к покою.  [6]

7 Вольт-фарадная характеристика МДП-структуры. [7]

При превышении t / 3H значения порогового напряжения в МДП-структуре происходит инверсия проводимости приповерхностного слоя: поверхностная концентрация дырок в инверсионном слое растет экспоненциально с напряжением, а поверхностный потенциал увеличивается пропорционально квадрату толщины обедненной области / 0 [ см. ( 4.5 а) ], После того как значение / о достигнет максимальной величины, дальнейшее приращение отрицательного заряда на затворе будет компенсироваться возрастанием концентрации дырок в канале. Появление избыточных дырок обеспечивается достаточно медленной генерацией электронно-дырочных пар в ОПЗ.  [8]

9 Параметры нагружения образцов и значения пороговых фибровых напряжений8. [9]

Приведенные в работе / 363 / значения пороговых напряжений несколько ниже полученных расчетных данных.  [10]

Считывание хранимой в ЗЭ информации сводится по существу к проверке значения порогового напряжения МДП транзистора.  [11]

При резком увеличении скорости нарастания прямого напряжения dUldt тиристор может открыться еще до достижения значения статического порогового напряжения. Емкостный ток вызывает открытие тиристора при напряжении меньше порогового. Допустимое значение dU / dt при повышении температуры уменьшается, а при увеличении силы тока управления возрастает.  [12]

Для построения зависимостей PF ( AV) от среднего значения прямого тока предварительно путем прямолинейной аппроксимации предельных прямых ВАХ диодов определяются значения порогового напряжения U ( TO) и дифференциального прямого сопротивления гт.  [13]

Если поверхностный заряд и контактная разность потенциала не равны нулю, а концентрация примесей у поверхности не постоянна, то это сказывается только на значении порогового напряжения, сам же вид формул не изменяется.  [14]

15 Инверторы с нелинейной и квазилинейной нагрузками. [15]



Страницы:      1    2    3