Значение - напряженность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Какой же русский не любит быстрой езды - бессмысленной и беспощадной! Законы Мерфи (еще...)

Значение - напряженность

Cтраница 1


Значение напряженности в точке / ( рис. 1 - 1) соответствует некоторой пороговой напряженности поля, начиная с которой в магнитном материале происходят необратимые процессы перемагничи-вания. Эта напряженность, называемая полем трогания Ят, определяет помехозащищенность накопительных, переключающих и запоминающих магнитно-полупроводниковых элементов.  [1]

Значение напряженности Як внешнего магнитного поля, которое необходимо приложить к образцу для полного его размагни-чения, называют коэрцитивной силой.  [2]

Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных досителей.  [3]

Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей.  [4]

Значение напряженности электростатического поля у поверхности заряженного проводника обратно пропорционально квадрату радиуса кривизны поверхности.  [5]

Значение напряженности электростатического поля у поверхности заряженного проводника обратно пропорционально - квадрату радиуса кривизны поверхности.  [6]

7 Вольт-кулоновые характеристики конденсаторов. [7]

Значение напряженности электрического поля, при котором начинается пробой диэлектрика ( разрушение его действием сильного электрического поля), называют пробивной напряженностью или электрической прочностью.  [8]

Значение напряженности электрического поля, при котором начинается пробой диэлектрика, называется пробивным градиентом, или электрической прочностью диэлектрика.  [9]

Значение напряженности электрического поля, при котором происходит пробой, зависит от физических свойств материала изоляции, ее размеров, температуры, влажности, длительности и характера приложенного напряжения. Практически пробой в диэлектрике происходит в каком-либо одном наиболее слабом месте.  [10]

11 Распределение концентрации примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии. [11]

Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей.  [12]

13 Распределение концентрации примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии. [13]

Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей.  [14]

15 Точки измерения наяр электрических пшкй. [15]



Страницы:      1    2    3    4