Вероятность - безызлучательный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Никогда не называй человека дураком. Лучше займи у него в долг. Законы Мерфи (еще...)

Вероятность - безызлучательный переход

Cтраница 1


Вероятность безызлучательного перехода зависит от того, насколько быстро происходит перераспределение энергии возбуждения по вращательным и колебательным степеням свободы молекулы.  [1]

2 Спектр поглощения рубина с концентрацией хрома. [2]

Вероятность безызлучательного перехода ш32 на уровень ZE была оценена путем сравнения интенсивности спонтанного излучения, возникающего при переходе FZ - A2, и интенсивности люминесценции в - линиях.  [3]

Кислород увеличивает вероятность безызлучательных переходов гораздо больше, чем радиационного. В результате этого квантовый выход фосфоресценции резко падает как для молекул с нижним ял, так и шт - уровнем Г - состояния.  [4]

Согласно принципу Франка - Кондона, вероятность безызлучательного перехода в этом случае будет меньшей для перехода из состояния Sb чем из состояния 7V Другими словами, при безызлучательном переходе молекулы из возбужденного состояния в основное чем выше энергия возбужденного состояния, тем большее количество электронной энергии должно превратиться в колебательную энергию основного состояния. Кроме того, как мы уже видели, пересечение потенциальных поверхностей возбужденных состояний с потенциальной поверхностью основного состояния происходит реже, чем пересечение с потенциальными поверхностями других возбужденных состояний. Если молекула находится в триплетном состоянии, которое всегда является самым нижним возбужденным состоянием молекулы, она может перейти в основное состояние либо путем испускания кванта фосфоресценции, либо интеркомбинационной конверсией.  [5]

Теория люминесценции в значительной степени использует такие понятия, как вероятности релаксационных и электронных безызлучательных переходов. Действительно, можно легко показать, что интенсивность люминесценции, например рассмотренного выше перехода 2Eg - Tzg ( см. рис. VII. Колебательную релаксацию следует понимать как передачу энергии возбужденных колебаний данного типа другим колебательным степеням свободы ( или другим частицам при столкновениях) с установлением между ними термодинамического равновесия. В гармоническом приближении колебания не взаимодействуют между собой, поэтому колебательная релаксация происходит лишь благодаря энгармонизму колебаний.  [6]

Теория люминесценции в значительной степени использует такие понятия, как вероятности релаксационных и электронных безызлучательных переходов. Колебательную релаксацию следует понимать как передачу энергии возбужденных колебаний данного типа другим колебательным степеням свободы ( или другим частицам при столкновениях) с установлением между ними термодинамического равновесия. В гармоническом приближении колебания не взаимодействуют между собой, поэтому колебательная релак-сация происходит лишь благодаря энгармонизму колебаний. Отсюда вытекает сильная зависимость вероятности колебательных релаксационных переходов от температуры.  [7]

8 Влияние КИЗ на спектр излучения Еи3 в Саз ( У04 г. [8]

Тушение, наблюдаемое с ростом температуры для ионов европия и диспрозия, обусловлено увеличением вероятности безызлучательных переходов.  [9]

Взаимодействие ионов Ln3 с фононами решетки может проявляться в температурной зависимости ширины и положения спектральных линий, а также в изменении вероятностей излучательных и безызлучательных переходов.  [10]

11 Спектры люминесценции ( Ft, - 4At / ПРИ 00 лического расщепления мультиплетов Ftli и f /. [11]

Взаимодействие примесных ионов с колебаниями кристаллической решетки проявляется, например, в температурном смещении спектральных линий и их уширении, в изменении вероятностей безызлучательных переходов и в появлении в оптических спектрах электронно-колебательных спутников.  [12]

Однако в полупроводниках типа JnSb, GaAs, JnP и др., где экстремумы обеих зон находятся в одной и той же точке, в данном случае в центре зоны Бриллуэна, и где поэтому возможны прямые переходы зона - зона с излучением или поглощением только одного фотона, излучательная рекомбинация может быть одним из доминирующих механизмов, особенно при больших уровнях инъекции и при низких температурах, когда вероятность безызлучательных переходов уменьшается. В этих случаях прохождение тока через р - re - переход сопровождается интенсивным свечением области р - тг-перехода. Такие светящиеся или, как их называют, люминесцентные диоды находят применение в качестве маломощных весьма экономичных источников света.  [13]

Вероятность излучательного перехода определяется главным образом взаимодействием состояний редкоземельных ионов, характер которого зависит от окружающей среды. Вероятность безызлучательного перехода с любого чисто электронного уровня иона активатора зависит от характера и степени связи этого иона с решеткой и от расстояния между данным и ближайшим нижним электронным уровнями.  [14]

Для эффективной работы активатор должен иметь широкую полосу или группу интенсивных полос поглощения, соответствующих переходам на уровни, лежащие выше метастабильного уровня. Причем вероятность безызлучательных переходов с этих уровней на метастабильный уровень должна быть больше, чем на основной. Выполнение этого требования позволяет значительно увеличить кпд лазера. В спектрах поглощения активного материала должны отсутствовать линии поглощения на длине волны генерации лазера, поскольку это сделает эффект генерации вынужденного излучения неэффективным.  [15]



Страницы:      1    2    3