5-параметр

Cтраница 1

Измерение 5-параметров транзистора производится по методике, описанной в § 2.2. S-параметры транзистора являются комплексными частотно-зависимыми величинами, задаваемыми в виде графиков на круговой диаграмме ( см., например, рис. 8.8 и 8.14) или таблицы. [1]

К высокочастотным параметрам относятся и 5-параметры четырехполюсника, которые удобно использовать на частотах выше 100 МГц. Методы измерения 5-параметров и приборы для их измерения в данной главе не рассматриваются. [2]

Туннельная сушилка. 1-камера ( коридор, 2-вагонетки. 3-вентиля-торы. 4-калориферы.| Ленточная сушилка. 1 -камера. 2, 6-загрузочный и разгрузочный бункеры. 3-ленточный транспортер. 4-калорифер. 5-вентилятор.| Петлевая сушилка. 1-питатель. 2-лента. 3-валки. 4-автоматяч. ударное устройство. 5-разгрузочный шнек. 6-вентиляторы. [3]

Пов-сти; К, А, 5-параметры кривой, причем А ирА Д и 5 рВ Дв; ирА и рВ - начальная ( соответствует ср 1 при неизменных условиях С) и конечная равновесные влажности материала; ЛА и Дв - поправки, определяемые кинетикой С. [4]

Одно из преимуществ осциллографического метода измерения 5-параметров заключается в том, что допустимый уровень падающей мощности можно визуально оценить на экране осциллографа по форме сигнала. Искажение формы синусоидального сигнала свидетельствует о нелинейности режима испытываемого устройства. [5]

Устраняется необходимость в последовательных приближениях для вычисления 5-параметров, по крайней мере, для задач исследуемого типа. [6]

Поэтому следует отдать предпочтение экспериментальному методу определения 5-параметров транзистора. [7]

Схема подключения транзистора как четырехполюсника. [8]

Но СВЧ параметры транзистора принято описывать при помощи 5-параметров. [9]

Выразить Z -, Y -, Н -, 5-параметры через Л - параметры. [10]

Сложнее обстоит дело с описанием свойств транзистора с помощью - 5-параметров в режиме большого сигнала. В первом приближении 5-параметров можно определить через отношения первых гармоник падающих и отраженных волн напряжения при удовлетворительной фильтрации высших гармоник, что обычно соблюдается. [11]

С другой стороны, зависимость КР ( Ы) можно определить согласно (8.28) при известных зависимостях 5-параметров и коэффициента отражения нагрузки Гн от частоты. [12]

Соотношения ( 2) и ( 3) позволяют вычислить зависимость коэффициента усиления транзистора в функции его 5-параметров. Вычисления были проделаны для широкого набора параметров эквивалентной схемы. [13]

В реальных условиях при суммировании мощностей сигналов неизбежны потери, связанные с разбросом параметров генераторов, отклонением 5-параметров сумматоров и делителей от оптимальных значений, особенно в полосе частот, и отражениями в трактах распространения сигналов. Учитывая перечисленные факторы, определим потери мощности при суммировании сигналов. В схеме на рис. 10.23 обозначены через ZBXft и ГВхь - входное сопротивление и коэффициент отражения k - ro входа многополюсника; Zih и Tik - внутреннее сопротивление k - ro генератора и соответствующий ему коэффициент отражения. [14]

Измеритель разности фаз комбинированный ФК2 - 12 предназначен для измерения разности фаз синусоидальных сигналов и уровней их напряжения, а также для измерения комплексного коэффициента передачи четырехполюсников и 5-параметров ВЧ транзисторов. Принцип действия прибора основан на стробоскопическом преобразовании частоты с фазовой автоподстройкой частоты. [15]

Страницы: 1 2