Cтраница 2
Однако, кроме того, необходимо учесть и дополнительные обстоятельства, связанные с особенностями работы транзисторных усилителей мощности, изложенные в § 8.7. Эти обстоятельства обусловлены в основном зарисимостью 5-параметров транзистора от мощности входного сигнала. Поскольку - параметры транзистора в режиме большого сигнала определить весьма трудно, то методика расчета усилителя может базироваться на зависимостях входного и выходного сопротивлений мощного СВЧ полупроводникового прибора от частоты сигнала. [16]
Физический смысл этих комплексных величин и методы их измерения рассмотрены в § 2.2. Согласно (8.11) - (8.14) восемь рациональных функций полностью характеризуют СВЧ транзистор в рабочем диапазоне частот. При 5-параметрах возможен табличный метод описания свойств транзистора, что весьма удобно при использовании ЭВМ для расчета полупроводниковых усилителей. [17]
К высокочастотным параметрам относятся и 5-параметры четырехполюсника, которые удобно использовать на частотах выше 100 МГц. Методы измерения 5-параметров и приборы для их измерения в данной главе не рассматриваются. [18]
Сложнее обстоит дело с описанием свойств транзистора с помощью - 5-параметров в режиме большого сигнала. В первом приближении 5-параметров можно определить через отношения первых гармоник падающих и отраженных волн напряжения при удовлетворительной фильтрации высших гармоник, что обычно соблюдается. [19]