5-тип
Cтраница 4
Выше мы видели, что на угле могут иметь место различные типы хемосорбции водорода. Эммет и Харкнесс [119] при изучении адсорбции водорода на железном катализаторе синтеза аммиака обнаружили два различных типа хемосорбции. Последние наблюдались в области соответственно - 100 и 100 С и были названы адсорбцией А - и 5-типа. Эти опыты были повторены Гаухмаиом и Ройтером [120], которые получили идентичные результаты. [46]
При выращивании кристаллов межузельного типа кристаллическая матрица пересыщена межузельными атомами, что препятствует дополнительной эмиссии Si ( - оксидными выделениями и делает термодинамически невыгодным образование последних. В результате растворимость кислорода в кристаллической решетке возрастает. В этом случае первичные ростовые микродефекты представляют собой агрегаты атомов Si, происходит формирование микродефектов А - и 5-типа. В связи с неравномерным распределением межузельных атомов в поперечном сечении кристалла в областях с максимальной концентрацией Si - образуются преимущественно микродефекты Л - типа, а в областях с пониженной их концентрацией - микродефекты 5-типа. [47]
На рис. 8.17 ( см. далее) представлены структурные схемы простейших триггеров П - ТТ. Информационные сигналы поступают раздельно на входы R и S. Эти триггеры относятся к асинхронным триггерам 5-типа, которые срабатывают непосредственно от информационных сигналов. Вторые входы элементов используются для осуществления перекрестной положительной обратной связи. [48]
Такие приборы иногда называют приборами с N-об-разной характеристикой или приборами / V-типа. Вторые - это приборы, управляемые током. Для них напряжение однозначно определяется величиной тока, а функция / р ( U) неоднозначна. Эти приборы иногда называют приборами с S-образной характеристикой или приборами 5-типа. [50]
Она была распространена на кристаллы, выращенные из разбавленных растворов, особенно на кристаллы неорганических соединений. Наблюдая за волокнистыми кристаллами, например асбеста, у которых цепочки с сильной связью вытянуты параллельно оси волокон, Хартман и Пердок [162] ( см. также работу Хартмана [163]) пришли к выводу, что кристаллы должны расти быстрее всего в направлении наиболее сильной химической связи. Кристалл будет расти в заданном направлении только тогда, когда в его структуре имеется оборванная цепочка сильных связей. Следовательно, грани куба 100 относятся к F-типу, грани 110 - 5-типу и 111 - / ( - типу. Скорости роста возрастают в последовательности F-S-K. Эта теория качественно, по-видимому, согласуется со многими наблюдениями, однако у нее отсутствует ясная термодинамическая или кинетическая основа. То же самое относится и к более ранним теориям Бравэ, Дон-нея, а также Харкера и Нигли. [51]
Если внешнее электрическое поле отсутствует, то в полупроводнике наблюдается хаотическое тепловое движение электронов и дырок. В электрическом поле движение электронов и дырок становится-вится упорядоченным. Проводимость полупроводника обусловлена перемещением как свободных электронов, так и дырок. В полупроводнике различают проводимости - типа ( от слова negative - отрицательный), обусловленную движение электронов, и / 5-типа ( от слова positive - положительный), обусловленную движением дырок. [52]
При выращивании кристаллов межузельного типа кристаллическая матрица пересыщена межузельными атомами, что препятствует дополнительной эмиссии Si ( - оксидными выделениями и делает термодинамически невыгодным образование последних. В результате растворимость кислорода в кристаллической решетке возрастает. В этом случае первичные ростовые микродефекты представляют собой агрегаты атомов Si, происходит формирование микродефектов А - и 5-типа. В связи с неравномерным распределением межузельных атомов в поперечном сечении кристалла в областях с максимальной концентрацией Si - образуются преимущественно микродефекты Л - типа, а в областях с пониженной их концентрацией - микродефекты 5-типа. [53]
Хемосорбция водорода при пониженных температурах и даже при комнатной температуре приводит к образованию диполей, направленных своими отрицательными концами от металла. При более высоких температурах происходит другой тип хемосорбции ( адсорбция В-типа, см. раздел VI, 3), который, очевидно, связан с образованием положительно заряженного водорода. Возможно, что загрязнение поверхности кислородом облегчает адсорбцию fi - типа или, как уже было сказано в разделе VI, 3, препятствует адсорбции / 4-типа. Дипольный слой кислорода, обращенный своей отрицательной стороной от поверхности, действительно мог бы уменьшить теплоту хемосорбции отрицательно заряженных атомов водорода ( адсорбция Л - типа) в такой степени, что этот тип адсорбции не имел бы больше места, и в то же время облегчить адсорбцию 5-типа. [54]
Таким образом, к концу 40 - х годов было ясно, что появление надежных, практически отработанных негатронов могло бы привести к замене отдельных ( иногда достаточно сложных) участков регенеративных схем и, поскольку негатрон является элементарным прибором, к соответствующему упрощению аппаратуры. Естественно, что зарождение и развитие транзисторной техники, а вслед за нею микроэлектроники, которые как раз и призваны обеспечить упрощение, удешевление и повышение надежности электронных схем ( и вместе с тем усложнение выполняемых функций), вызвали новую волну интереса к негатронам. В этом отношении современная физика твердого тела и, в частности, физика полупроводников оказались исключительно плодотворными. За короткое время ( 8 - 10 лет) были разработаны лабораторные образцы нескольких полупроводниковых негатронов: точечный транзистор, двух-базовый диод, лавинный транзистор, диод с длинной базой и др. Однако наиболее важными и жизнеспособными негатронами оказались четырехслойные тиристоры и туннельные диоды, первые из которых имеют характеристику 5-типа, а вторые Л7 - типа. Оба типа приборов уже в течение ряда лет выпускаются серийно в нескольких вариантах, причем основной областью применения тиристоров с самого начала стала область силовых выпрямителей и преобразователей, а туннельных диодов - усилительная ( СВЧ) и импульсная ( на-носекундная) техника. [55]
Страницы: 1 2 3 4