Изготовление - кристалл
Cтраница 2
В БИС ПЗУ на ЗЭ, представленных на рис. 6.25, а, занесение информации осуществляется на этапе изготовления кристаллов с помощью сменного ( заказного) фотошаблона путем изменения конфигурации металлизированной разводки или селективного вскрытия контактных окон под металлизацию. Соединение ЗЭ с шинами АШ и РШ соответствует хранению 1, отсутствие соединения - хранению О. [16]
 |
Левый н правый кварц. система осей.| Резонансные кривые, полученные с помощью самопишущего прибора. Л - проводимость. f - частота в нелинейном масштабе. [17] |
Таких резонансных частот в кристалле очень много, отличаются они друг от друга по амплитуде. При изготовлении кристалла задача сводится к тому, чтобы наиболее сильно проявить один резонанс и по возможности подавить резонансы в ближайшей области частот. [18]
Простейший способ изготовления кристалла заключается в следующем. [19]
Структура элементов ( диодов, резисторов, Конденсаторов) должна содержать только те области, на основе которых построен транзистор. Поэтому технологический процесс изготовления кристалла ИС строится с учетом лишь структуры транзистора, а остальные элементы формируются попутно. [20]
Термин постоянное запоминающее устройство используется, как правило, применительно к устройствам с масочным программированием. Масочное программирование выполняется производителем в процессе изготовления кристалла. Изготовитель делает маску, которую затем использует при производстве кристалла. Когда кристалл изготовлен, то никакие изменения не могут быть внесены в программу, в противном случае заменяется весь кристалл. Начальная стоимость маски довольно высокая, и тем не менее такая память является самой дешевой из имеющихся. В настоящее время имеются постоянные запоминающие устройства на кристаллах емкостью от 256 бит до 64 Кбит. [21]
Следовательно, необходимо введение машинного проектирования в реальном масштабе времени в производственный процесс изготовления БИС, в первую очередь заказных. При создании полузаказных БИС проектирование элементов и изготовление кристалла разделяются во времени с проектированием и изготовлением разводки. [22]
Предпочтение при этом отдается обобщенным информативным параметрам, содержащим интегральную информацию о структуре, сформированной с помощью последовательно проведенных двух-трех операций. Например контроль напряжения пробоя изолирующего р-л-перехода при изготовлении кристаллов по планарно-эпитаксиальной технологии может характеризовать качество выполнения операций термического окисления, фотолитографии и диффузии. [23]
В опубликованных статьях часто было трудно установить способ изготовления кристаллов, точность используемой Х - лучевой техники для определения положения кристаллографических осей и степень точности в измерении осевых напряжений и деформации. Большинство этих экспериментов было выполнено как вспомогательное средство для выдвижения моделей механизма дислокаций, возникавших многие годы одна из другой. Поэтому экспериментаторы, которые сами по себе не интересовались механикой сплошной среды, часто находили только качественную информацию. [24]
При использовании ЭВМ кристалл может быть спроектирован и фотошаблоны изготовлены в течение нескольких часов по сравнению с неделями и месяцами, которые требуются в случае применения неавтоматизированных или частично автоматизированных устройств. Благодаря данному методу можно значительно уменьшить установленную стоимость, затрачиваемую на изготовление кристалла, и сократить число кристаллов, которые должны быть изготовлены и использованы с целью экономической эффективности производства схемы. [25]
Свойства полупроводниковых кристаллов очень сильно зависят от содержания определенных примесей, которые должны вводиться в основной материал кристалла. Методы расчета содержания примесей имеют, следовательно, особое значение при изготовлении кристаллов полупроводников методом зонной плавки. [26]
В полученных таким образом кристаллах всегда можно было заметить первоначальный зародыш; часто встречались трещины, заполненные маточным раствором, или прослойки, хотя и не заключающие в себе жидкости, но нарушающие тем не менее однородность кристалла. Всякое такое нарушение однородности совершенно искажает электрические свойства кристалла; поэтому после изготовления кристаллов требовалась весьма тщательная сортировка их; иногда только один или два из многих десятков изготовленных кристаллов оказывались пригодными для электрического исследования. Кристаллы рассматривались при интенсивном боковом освещении при всевозможной ориентировке относительно глаза и источника света; отбирались те экземпляры, в которых можно было обнаружить часть с сечением не менее 0.5 см2, совершенно лишенную оптических дефектов; остальная часть кристалла удалялась откалыванием и шлифовкой на наждачной бумаге. [27]
Известно, что при малых площадях полупроводниковых ИМС их стоимость определяется стоимостью корпуса и сборки. При больших площадях ИМС, а следовательно при высоких степенях интеграции, преобладает стоимость изготовления кристалла. Таким образом, прежде чем приступить к разработке структуры БИС, необходимо оценить степень интеграции и площадь кристалла, обеспечивающие желаемый процент выхода годных. Для этого следует иметь данные по снижению процента выхода годных ИМС, структур и элементов на каждом этапе технологического процесса. Технологи должны установить зависимость процента выхода годных кристаллов на каждой из пластин от их площади, определить плотность дефектов на пластине и установить закон распределения дефектов в зависимости от расстояния от центра пластины, а также определить зависимость процента выхода годных структур на каждой из операций в процессе изготовления. Критериями оценки могут служить электрические характеристики структур. Набор статистических данных дает возможность разработчикам систем оценить экономически обоснованную степень интеграции. [28]
Известно, что при малых площадях полупроводниковых ИМС их стоимость определяется стоимостью корпуса и сборки. При больших площадях ИМС, а следовательно, при высоких степенях интеграции преобладает стоимость изготовления кристалла. Таким образом, прежде чем приступить к разработке структуры БИС, необходимо оценить степень интеграции и площадь кристалла, обеспечивающие желаемый процент выхода годных изделий. Для этого следует иметь данные по снижению процента выхода годных ИМС, структур и элементов на каждом этапе технологического процесса. Технологи должны установить зависимость процента выхода годных кристаллов на каждой из пластин от их площади, закон распределения дефектов в зависимости от расстояния от центра пластины, а также определить плотность дефектов на пластине и процент выхода годных структур на каждой из операций в процессе изготовления. Критериями оценки могут служить электрические характеристики структур. Набор статистических данных дает возможность разработчикам систем оценить экономически обоснованную степень интеграции. [29]
Исследование СВЧ кремниевых р - t - л-структур по существу только начинается. Совершенствование СВЧ кремниевых р - t - л-структур требует освоения новых технологических приемов при изготовлении кристаллов и контактов. [30]
Страницы: 1 2 3 4