Изготовление - кристалл
Cтраница 3
Входными данными СБИС-транслятора является описание функциональной структуры проектируемой СБИС, выходными - описание фотошаблонов и другой документации для изготовления кристаллов. [31]
Сложность разработки новых способов состоит как в трудностях выбора соответствующей аппаратуры, так и в тщательности, необходимой при изготовлении кристалла. [32]
Для изготовления матричных БИС среднего быстродействия используются БМК, в которых ячейки матрицы состоят из И2Л или И3Л - структур. Большой практический интерес представляют такие БМК для изготовления аналого-цифровых матричных БИС. Технология изготовления кристаллов с И2Л - структурами хорошо совмещается с технологией изготовления кристаллов с обычными биполярными транзисторами ( рис. 2.14), поэтому на одном кристалле может быть сформировано две матрицы, одна из которых используется для изготовления цифровых узлов и блоков ( матрица с И2Л - структурами), а другая - для изготовления аналоговых узлов и буферных элементов, хорошо совмещаемых с БИС, построенными по ТТЛ -, я - МОП - или КМОП-технологии. Использование И2Л - структур позволяет достигнуть высокой плотности компо-новки элементов в цифровых устройствах. [33]
Каждая группа включает производственные участки в зависимости от особенностей технологического процесса, которые обычно объединены в цеха. В цехе заготовительного производства могут быть участки: токарный, штамповки, литья и другие. Цех изготовления кристаллов включает участки: фотолитографии, термический, тестовых измерений, скрайбирования. Отделочный цех может состоять из участков покраски, напыления, художественного оформления. [34]
Резисторная матрица выполнена по тонкопленочной технологии на отдельном кристалле, входящем в микросхему. В матрице использованы двоично-взвешенные резисторы в старших разрядах с первого по восьмой и резисторная матрица типа R - 2R в младших разрядах с девятого по двенадцатый. При изготовлении кристалла используется лазерная подгонка резисторов матрицы на этапе функциональной настройки ЦАП. [35]
Для изготовления матричных БИС среднего быстродействия используются БМК, в которых ячейки матрицы состоят из И2Л или И3Л - структур. Большой практический интерес представляют такие БМК для изготовления аналого-цифровых матричных БИС. Технология изготовления кристаллов с И2Л - структурами хорошо совмещается с технологией изготовления кристаллов с обычными биполярными транзисторами ( рис. 2.14), поэтому на одном кристалле может быть сформировано две матрицы, одна из которых используется для изготовления цифровых узлов и блоков ( матрица с И2Л - структурами), а другая - для изготовления аналоговых узлов и буферных элементов, хорошо совмещаемых с БИС, построенными по ТТЛ -, я - МОП - или КМОП-технологии. Использование И2Л - структур позволяет достигнуть высокой плотности компо-новки элементов в цифровых устройствах. [36]
Широкие программы изменения состава интересны и для примесей, и для сплавообразующих компонентов. Следует, однако, отметить, что в отличие от узких программ, широкие программы изменения состава практически совсем не изучены. Объясняется это не только отсутствием интересных идей в этой области, но и, в первую очередь, неразработанностью способов изготовления кристаллов с такими программами. В то же время ясно, что кристалл постоянного состава является частным случаем кристалла с широкой программой изменения состава. Поэтому многие методы и оценки, предложенные и разработанные для задач выравнивания состава, могут быть приспособлены и для программирования. [37]
 |
Корпуса БИС. [38] |
Для облегчения межэлектродных соединений в БИС разработчик может пользоваться программами для монтажа, заложенными в вычислительное устройство. Комбинируя эти программы, разработчик на практике может добиться плотности упаковки схемы и конструкции, которая поддается монтажу в пределах технологии. Конструкция схемы и межэлектродных соединений записывается на ленте, откуда она поступает на автоматическую установку, обеспечивающую получение различных шаблонов, необходимых при изготовлении кристаллов. [39]
Импульсные мощности мегаваттного и гигаваттного уровня удается получать только на твердотельных лазерах в режиме импульсной добротности с использованием рубина или стекла с неодимом. Этот тип лазеров обладает, как указывалось выше, рядом недостатков. КПД таких лазеров очень низок и составляет доли процента, средние мощности таких лазеров невысокие. Изготовление кристаллов оптического качества и с большими размерами для этого типа лазеров трудоемко и дорого. [40]
IV отмечалось, что при термообработках, как и в процессах выращивания, между кристаллом и граничащими с ним фазами устанавливается равновесие, которое в общем случае нарушается при охлаждении кристалла. При этом может происходить изменение состояний равновесия между содержащимися в кристаллах дефектами и соответствующее изменение его свойств. Кинетика процессов, происходящих в кристаллах, зависит не только от внешних воздействий, но и от всех их структурных и химических особенностей. Поэтому изготовление кристаллов с требуемым комплексом свойств связано с решением ряда задач: охарактеризование полученного материала ( определение природы и концентраций содержащихся в нем дефектов и его физических и физико-химических свойств), установление причин, вследствие которых возникли дефекты, и разработка технологии выращивания кристаллов, позволяющая управлять природой и концентрацией дефектов. [41]
 |
Схема печи для получения монокристаллов ZnS из газовой фазы. [42] |
Трубку устанавливают в печь / с контролируемой температурой в пределах ее рабочего пространства. Таким методом получают кристаллы соединений CdSe, ZnSe, PbS, PbSe, ZnTe и др. В результате взаимодействия паров основного элемента ( например, As, P) и хлористого индия или галлия можно получить кристаллы соединений InAs, GaAs, InP, GaP. Указанный метод изготовления кристаллов используют также при получении тонких слоев полупроводниковых материалов на различных подложках. [43]
Разброс скоростей возникает по ряду причин. Различные угловые погрешности иллюстрирует рис. 6.13. Здесь бр, и 6v относятся к ориентации нормали к поверхности, а 69 - к направлению распространения. Все три угла определяются точностью изготовления кристалла, кроме того, величина 69 зависит от точности совмещения в процессе фотолитографии. [44]
 |
Чертеж большой-интегральной схемы. ( Из работы Эйриса. [45] |
Страницы: 1 2 3 4