Cтраница 4
На рис. 4.15 изображен чертеж большой интегральной схемы ( БИС), выполненный ЭВМ. Такой чертеж может разрабатываться на основе логического описания, задаваемого конструктором и отражающего функцию схемы. На чертеже показаны как внутренние соединения в самом кристалле БИС, так и интерфейсные цепи, расположенные по - периметру кристалла. Преимущества использования САПР / АПП в проектировании БИС проявляются при разработке фотошаблона, необходимого для изготовления требуемого кристалла. Высокая сложность топологического чертежа, приведенного на рис. 4.15, говорит сама за себя и свидетельствует о значительных трудностях, которые были бы неизбежны при проектировании данной схемы ручными методами. [46]
Это можно объяснить тем, что, как показал Дэш [67] г дислокации в кремнии чаще всего принимают определенную преимущественную ориентировку. Ясно, что в кристалле, выращенном в таком направлении, останется значительно больше дислокаций, чем при другом направлении роста. Дэш [67, 68] показал также, что дислокации наследуются от затравки; они часто возникают и вследствие плохого контакта между расплавом и затравкой. Дислокации же, присутствующие в кристалле, распространяются и размножаются под действием термических напряжений. Следовательно, для изготовления кристалла, свободного от дислокаций, необходимо начинать с совершенной затравки. Этот нитевидный кристалл почти наверняка должен быть совершенным с нижнего конца, поскольку дислокации выходят из него путем переползания. Затем нитевидный кристалл утолщают и в результате обычно получается совершенный кристалл. Если первоначально кристалл свободен от дислокаций, то термические напряжения не могут создавать новых дислокаций. [47]
Первое, что надо иметь в инду - идеально чистые твердые прозрачные среды практически не существуют. В любом кристалле, стекле всегда имеются макроскопические локальные примеси, представляющие собой локальные области, имеющие иной коэффициент преломления и поглощения, чем сама среда. Типичным примером яиляются непрозрачные примеси. Эти примеси, как правило, носят технологический характер, они обусловлены методикой изготовления кристалла или стекла. Типичным примером являютсн частички платины, из которой изготавливаются тигли, в которых варят стекло. Однако по чисто технологическим причинам некоторые кристаллы удается выращивать в та-иих условиях, когда количество примесей минимально. Результаты экспериментов с такими, почти совершенно однородными средами, могут с достаточным основанием сопоставляться с теорией пробоя идеально однородных сред. [48]