Изготовление - маска
Cтраница 2
Широкое применение при изготовлении масок для напыления в производстве микроэлектронной аппаратуры находит негативный фоторезист на основе поливинилового спирта. [16]
 |
Маско - и подложкочержатели, предназначенные для использования прямоугольных стеклянных подложек [ 41. [17] |
Некоторые затруднения при изготовлении масок из стекла или металла легко преодолеваются с помощью применения масок из проволочной сетки. Этот метод, разработанный Ваймером [14] основан на применении тонкой нихромовой проволоки ( диаметром около 0 04 мм), которая крепится в непосредственной близости у поверхности подложки. Ширина полосы, закрываемой проволокой от потока осаждающихся частиц, соответствует диаметру этой проволоки, рис. 6, а. Проволока должна находиться от поверхности подложки на расстоянии менее 0 025 мм. На направление потока испаряющегося вещества не должны оказывать воздействия высокое остаточное давление в вакуумной системе и близость расстояния между источником испарения и подложкой. Кроме того, не должно иметь места явление рассеяния, обусловленное коэффициентом сцепления, меньшим единицы, или повышение температуры подложки. [18]
 |
Схема метода одинарного селективного химического травления ( одинарная фотолитография. [19] |
При этом устраняется необходимость трудоемкого изготовления маски первого слоя. [20]
Заключительными - операциями в изготовлении подобных масок является удаление защитного лака ( рис. 10 - 18 з), нейтрализация в растворе фосфорнокислого натрия, промывка в потоке дистиллированной воды, сушка, проверка качества и контроль. Основной недостаток биметаллических масок - разность температурных коэффициентов линейного расширения образующего слоя и основы, что приводит к короблению масок при нагревании в процессе напыления и быстрому выходу их из строя. [21]
Достигнутый в настоящее время уровень изготовления масок не позволяет получить ширину резистора Ь менее 100 мкм. Поэтому, если по расчету Ь получается менее 100 мкм, то ширину резистора выбирают равной 100 мкм, а длину а соответственно пересчитывают. Для получения 10 % - ной точности ширину необходимо выбирать более 300 мкм. [22]
Затем руководитель занятия показывает способы изготовления маски ПТМ-1. Обучаемые в подгруппах определяют размеры необходимых им масок, делают выкройки масок, тренируются в раскройке, используя для этих целей бумагу, готовят все необходимое, чтобы в домашних условиях сшить маску ПТМ-1 и показать ее руководителю на очередном занятии. [23]
Кроме различных технологических дефектов при изготовлении маски, которые могут приводить к появлению погрешностей, существуют другие источники ошибок, обусловленные типом применяемого кода. Наиболее существенна ошибка неоднозначности, которая состоит в том, что если чувствительные элементы находятся на границе между двумя закодированными значениями на кодирующей маске, то возможно снятие кода с ошибкой в момент перехода его из состояния 1 в 0 и обратно в одном или нескольких разрядах. [24]
В настоящее время широкое применение при изготовлении масок для напыления в производстве микроэлектронной аппаратуры находит негативный фоторезист на основе поливинилового спирта. В этом случае в качестве светочувствительной добавки используется бихромат аммония. [25]
Из других соединений используют олеиновую кислоту при изготовлении масок для наручных электронных часов. Непредельные карбоновые кислоты ( например, олеиновая кислота) способны самовозгораться на воздухе. [26]
Существует большое количество способов маскирования, различающихся методом изготовления масок. Фотографические способы подразделяются, в частности, на методы внешнего маскирования и внутреннего маскирования, основанного на применении пленок с масками в слоях. [27]
Минимальный линейный размер резистора определяется материалом пленки, технологией нанесения или изготовления масок, возможностями контроля процесса производства и заданной величиной допуска на сопротивление резистора. [28]
Проектирование БИС предполагает: организацию дешевого и быстрого машинного проектирования; автоматическое изготовление масок и фотошаблонов; максимальную стандартизацию технологических процессов изготовления структур БИС с целью сокращения расходов на их производство; автоматизацию технологического и выходного контроля. [29]
Исторически этот метод вначале применялся для определения неизвестной кристаллической структуры путем изготовления пробных масок на основе химических и других соображений. Он был существенно упрощен при дальнейшем развитии техники ( см. конец раздела 2), когда было показано, что основная ячейка и только три периода вполне достаточны в качестве маски, поскольку они определяют структуру, на которой основана двухмерная проекция кристалла. Это иллюстрируется рис. 5.6, где в случае в в качестве маски было использовано большое число повторов ( намного больше, чем показано на рисунке) основной ячейки, тогда как в случае д было использовано только четыре ячейки, определяющих структуру кристаллической решетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4