Изготовление - микросхема
Cтраница 1
Изготовление микросхем на основе БМК и ПЛМ сулит немалые выгоды в плане сокращения сроков изготовления, расширения их функционального разнообразия при сокращении затрат на проектирование и производство. [1]
 |
Функциональный прибор на основе эффекта Холла. [2] |
Для изготовления микросхем пластину монокристалла антимонида индия толщиной б мкм приклеивают к стеклянной подложке толщиной 100 мкм. Затем производят вытравливание схемы генератора Холла в антимониде индия с помощью обычного метода фотолитографии. [3]
Для изготовления микросхем с помощью электронных лучей применяют специальные установки, в которых используют магнитную систему отклонения луча, управление которой запрограммировано на магнитной ленте. Такой метод управления позволяет получить рисунок требуемой глубины и формы с высокой точностью. Скорость обработки в этом случае тоже велика, так как при использовании записи на магнитную ленту регулируется частота, мощность, плотность и длительность импульсов. [4]
Для изготовления микросхем используют подложки различных размеров. Наиболее распространены прямоугольные подложки размером: 6X15, 8X12, 11X11, 10X16, 12X12, 12X16, 12X20, 16Х Х20, 24X30, 48X60 мм с отклонениями от номинального размера не более 0 3 мм, неперпендикулярностью сторон не более 0 1 мм и непараллельностью плоскостей не более 0 05 мм. [5]
Технология изготовления микросхем может быть не только такой, как описана выше. Для их изготовления в качестве подложки берутся пластинки из керамики или стекла. Соединения между компонентами гонкопленочной схемы получают путем напыления на подложку в высоком вакууме пленки из золота или серебра; для формирования резисторов используются ни-хромовые или танталовые пленки. [6]
Технология изготовления микросхем первой группы называется планерной, а технология изготовления микросхем второй группы - планарно-эпитаксиальной. [7]
При изготовлении микросхем целесообразно все сопротивления изготавливать одновременно, одним процессом испарения. Поскольку толщина пленки постоянна, при заданном значении RD требуемая величина сопротивления определяется его длиной и шириной. Обычно толщину принимают равной от 20 до 30 ммк в зависимости от материала. [8]
При изготовлении микросхем широко применяется метод изоляции путем создания вокруг изолируемого элемента области с противоположным типом проводимости. Следует отметить, что при использовании обратно смещенного p - n - перехода для изоляции элементов возникают паразитные емкости, ограничивающие быстродействие цифровых микросхем. Изоляция элементов полупроводниковой микросхемы с помощью диэлектрического слоя двуокиси кремния дает возможность уменьшить паразитные емкости между коллектором и подложкой и практически полностью устранить активные паразитные связи между элементами микросхемы. Элементы микросхемы размещаются как бы в карманах из двуокиси кремния. [9]
Этот способ изготовления микросхем позволяет получать, и в довольно широких пределах, резисторы и конденсаторы, а также небольшие индуктивности. Недостатком способа являются большие технологические трудности получения стабильных пленочных транзисторов и диодов. [10]
 |
Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [11] |
Первый этап изготовления микросхемы - выращивание эпитаксиального слоя толщиной 12 - М 5 мкм и окисление поверхности пластины для создания маски, необходимой для проведения процесса диффузии. Толщина окисного слоя составляет примерно 1 мкм. Окисные слои на последующих операциях получаются одновременно с диффузией, проводимой для создания изолирующих переходов. Для получения окисного слоя во время диффузии ( на определенной стадии процесса) в систему вводят кислород или пары воды. Разделительная диффузия проводится на всю глубину эпитаксиального слоя. При формировании базовых областей транзисторов создаются резистор и диод. [12]
Особенности технологии изготовления микросхем определяют и специфику их чертежей. При изготовлении гибридной тонкопленочной интегральной микросхемы разрабатывают чертежи многослойных плат. На этих чертежах показывают размещение и фэрму элементов и их соединений. [13]
Гибридные методы изготовления микросхем основываются на сочетании тонкопленочной или толстопленочной пассивной схемы с навесными бескорпусными полупроводниковыми приборами. [14]
Автоматизированная линия изготовления микросхем с пластмассовой герметизацией выполняет следующие технологические операции. После подсоединения кристалла прибор герметизируют пластмассой в специальных пресс-формах. Пластмассовая оболочка готовой микросхемы имеет четко выраженные форму и расстояние между выводами. [15]
Страницы: 1 2 3 4