Анизотропия - подвижность
Cтраница 2
Значения К Дрц / Др 2 - - 4 вполне могут быть объяснены при равенстве Л ц - А анизотропией подвижности. [17]
Так как энергии активации проводимости почти не зависят от направления, можно полагать, что анизотропия проводимости связана с анизотропией подвижности носителей тока. Аналогичные закономерности наблюдаются на тонких выпаренных пленках ДФПГ. [18]
Анизотропия подвижности определяется главным образом структурой кристалла и симметрией молекулярных волновых функций, которые могут быть хорошо учтены при расчете структуры зон. Анизотропия подвижности зависит также до некоторой степени от анизотропии рассеяния носителей; рассмотрение этого последнего явления представляет собой в настоящее время непосильную задачу. [19]
Механические, электрические и тепловые свойства монокристаллического гексагонального селена анизотропны. Анизотропия электрических свойств связана с анизотропией подвижности носителей заряда. [20]
Кроме того, простое приложение зонной теории дает возможность предсказывать определенные результаты в хорошем соответствии с наблюдениями Кеплера. Мы кратко обсудим следующие вопросы: 1) анизотропию подвижности, 2) необычную температурную зависимость подвижности электронов перпендикулярно плоскости спайности и 3) зависимость подвижности от давления. [21]
Теория МПВ была проверена в работе [233], где использовался полимер ПТС. Этот полимер является прекрасной моделью одномерного кристалла, поскольку анизотропия подвижности здесь такова, что / ц / / х Ю5, где й и / t - подвижности соответственно вдоль и поперек направления цепочки. [22]
В этом: случае оценка времени затухания приводит к значению 9 5 - 10 - 13 с - для неограниченного направления и 1 4 - 10 - 13с - для ограниченного. Из приведенных данных следует, что для тонких пленок воды характерна анизотропия подвижности молекул, Расчет коэффициента самодиффузии D вдоль неограниченного-направления с помощью соотношения Эйнштейна приводит к значению 2 - 10 - 3 см2 / с. Это существенно выше результата расчета для объемной фазы [340] Ь 4 2 - 10 - 5 см2 / с, что связано со значительным вкладом от подвижных молекул на свободных границах тонкой пленки. [23]
В этом случае оценка времени затухания приводит к значению 9 5 - 10 - 13 с - для неограниченного направления и 1 4 - 10 - 13с - - для-ограниченного. Из приведенных данных следует, что для тонких пленок воды характерна анизотропия подвижности молекул. Расчет коэффициента самодиффузии D вдоль неограниченного-направления с помощью соотношения Эйнштейна приводит к значению 2 - 10 - 3 см2 / с. Это существенно выше результата расчета для объемной фазы [340] D 4 2 - 10 - 5 см2 / с, что связано со-значительным вкладом от подвижных молекул на свободных границах тонкой пленки. [24]
Они тщательно исследовали анизотропию подвижности н осцилляции Шубникова - де Гааза в условиях различных одноосных напряжений. Однако анизотропия подвижности вела себя именно так, как должно быть при перетекании электронов из шести долин в соответствующую их группу по мере роста напряжения. Был сделан вывод, что объяснение, связанное с наличием внутренних напряжений, едва ли справедливо, поскольку для того, чтобы gv 2, необходимо, чтобы эти напряжения значительно превосходили приложенные извне, в то время как поведение подвижности говорит о том, что нх величины сравнимы. Авторы доказывают, что эта температура соответствует критической температуре фазового перехода первого рода из состояния с волной зарядовой плотности в обычное парамагнитное состояние. Однако найденное значение температуры почти не зависело от приложенного механического напряжения и значительно превышало предсказанное значение критической температуры, имеющее величину порядка энергии Фермн. [25]
Если отвлечься от различия в глубинах ловушек ( для дырок глубина ловушек равна 0 43 эВ, а для электронов - 0 17 эВ), можно представить, что молекулы тетрацена встраиваются в решетку антрацена определенным образом и поэтому по-разному взаимодействуют с зонами электронов и дырок, которые сами обладают различной анизотропией. Показано ( см., например, [333]), что глубина ловушек для дырок в антрацене с примесью перилена зависит от направления захвата: глубина ловушек в кристаллографических направлениях а и ft составляет 0 32 эВ, а в направлении с она равна 0 39 эВ; захват электронов автором не исследовался. Учитывая относительную анизотропию подвижности электронов, можно ожидать, что глубина ловушек для электронов не будет зависеть ( или будет слабо зависеть) от направления захвата, если конфигурация зоны каким-либо образом определяет эту глубину. Если же зонная конфигурация не играет определяющей роли, то для захвата электронов следует ожидать такую же анизотропию, как и для дырок. Что касается примеси тетрацена в антрацене, то здесь отличие в сечении захвата может быть обусловлено расположением молекул тетрацена в решетке антрацена. Тетрацен встраивается в решетку вместо молекулы антрацена, и при таком замещении нарушение зонной структуры относительно малб. Поскольку электронная зона более изотропна, чем дырочная, электрон имеет тенденцию просачиваться сквозь примесь, вследствие чего сечение захвата оказывается заниженным. Вышеприведенные рассуждения пригодны только для одного дискретного уровня захвата. Если в данном температурном диапазоне имеется более чем один уровень захвата, то кривые ИСТ, приведенные на рис. 2.8.4, будут иметь дополнительную структуру. [26]
Эта анизотропия должна проявиться также и в кристаллическом состоянии. Кроме того, анизотропия подвижности носителей должна приводить к анизотропии эмитированных электронов, поскольку анизотропия кристалла должна влиять даже на транспортные свойства состояний, по которым перемещаются горячие электроны. [27]
 |
Температурная зависимость давления паров теллура.| Зависимость показателя преломления слоев теллура от длины волны падающего света. [28] |
Теллур, так же как и селен, всегда имеет примесную электропроводность р-типа. Механические, электрические, оптические и тепловые свойства монокристаллического теллура анизотропны. Анизотропия электрических свойств связана с анизотропией подвижности дырок. [29]
Большие сжимающие напряжения можно создать также в МОП-транзисторах, изготовленных из кремния на сапфире. Большая разница в коэффициентах термического расширения создает значительные поперечные ( анизотропные) напряжения в кремниевых пленках при охлаждении их от температуры роста. Разнообразные свойства данных структур, такие, как анизотропия подвижности, пьезо - и магнитосопротивление, были исследованы и объяснены на языке анизотропного двумерного закона дисперсии, соответствующего двум долинам с эффективной массой плотности состояний tnd 0 42 т0, которые при деформации смещаются вниз по энергии. [30]
Страницы: 1 2 3