Cтраница 1
Анизотропия кристаллической решетки ведет к резкой анизотропии диамагнитной восприимчивости у, придавая ей исключительно большое значение в определенных кристаллографических плоскостях. Резкая анизотропия у наблюдается в мышьяке, висмуте и особенно в графите со слоистой решеткой. Такая же анизотропия у свойственна молекулам ароматических соединений. [1]
Анизотропия кристаллической решетки приводит к сильной зависимости зонной структуры от направления, и, в частности, значения эффективных масс в направлении вдоль гексагональной оси ( т) и поперек ее ( ml) различаются. Было установлено, что максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости расположены на границе зоны Бриллюэна в направлении гексагональной оси с. [2]
Из-за анизотропии кристаллической решетки следует ожидать, что скорость диффузии будет зависеть от кристаллографического направления. Однако в других кристаллах коэффициенты диффузии по различным направлениям могут различаться на порядки величин. Энергии активации также могут существенно отличаться по различным кристаллографическим направлениям. [3]
Значение такой структуры рассматривается в разделе Графит, где показано, что от анизотропии кристаллической решетки в большой мере зависит характер границы раздела между металлом и твердой смазкой. [4]
В отличие от влияния магнитного поля на сопротивление эффект Холла в слабых полях мало зависит от анизотропии кристаллической решетки. [5]
Гальваномагнитные эффекты особенно велики в полупроводниках; они тем сильнее, чем меньше концентрация электронов и чем резче выражена анизотропия кристаллической решетки. [6]
Если упругие деформации при образовании зародышей во время распада пересыщенных твердых растворов велики, это приводит не только к большому увеличению зародышей критического размера, но и к усложнению их формы. Последнее связано и с анизотропией кристаллической решетки. Зародыши при твердофазных превращениях должны иметь элипсоидную или иглообразную форму. При такой форме зародышей возможна и хорошая припасовка упаковок атомов обеих фаз, благодаря чему межфазная поверхностная энергия имеет невысокие значения. [7]
Направление Г-7 соответствует гексагональной оси с. Так же как для полупроводников IV группы, валентные зоны и зоны проводимости, образованные из 4р - и 5 / 7-состояний, трехкратновырождены, вследствие чего образуются три полосы энергии в каждой зоне. Анизотропия кристаллической решетки приводит к сильной зависимости зонной структуры от направления, и, в частности, значения эффективных масс в направлении вдоль гексагональной оси ( т) и поперек ее ( т) различаются. Было установлено, что максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости расположены на границе зоны Бриллюэна в направлении гексагональной оси с. [8]
Так, например, сопротивление анизотропного висмута возрастает вблизи абсолютного нуля на несколько порядков величины, резко изменяясь с кристаллографическим направлением и с силой магнитного поля. Эффект Холла также достигает в полупроводниках высоких значений при низких температурах в связи с ростом подвижности и убыванием концентрации носителей тока. В отличие от влияния магнитного поля на сопротивление, эффект Холла мало зависит от анизотропии кристаллической решетки. [9]