Магнитная кристаллографическая анизотропия

Cтраница 1

Магнитная кристаллографическая анизотропия проявляется в зависимости магнитных свойств среды от направления его намагничивания относительно осей кристаллической решетки. Связь орбитального движения с кристаллической решеткой и обусловливает появление в выражении свободной энергии ферромагнетика члена, зависящего от направления намагниченности по отношению к осям решетки. Результирующая или суммарная свободная энергия кристаллической анизотропии включает кроме энергии естественной кристаллической анизотропии энергию внутренних магнитострикционных напряжений, которая также зависит от направления намагниченности относительно осей кристаллической решетки. [1]

И так как значение магнитной кристаллографической анизотропии / С у ферроксплана больше, чем у ферритов-шпинелей, предельная частота его использования значительно выше, чем у никель-цинковых и других ферритов типа шпинели ( см. разд. [2]

Чаще всего достаточно учитывать только магнитную кристаллографическую анизотропию. [3]

Модель магнитной анизотропии. [4]

Можно предположить, что энергия магнитной кристаллографической анизотропии зависит от направляющих косинусов углов между вектором спонтанной намагниченности и основными кристаллографическими направлениями решетки. [5]

Если к ферритам, обладающим малой магнитной кристаллографической анизотропией и значительной магнито-стрикцией, приложить достаточно большую внешнюю механическую нагрузку, то в зависимости от ее направления происходит изменение ориентации магнитных доменов. Так как почти все ферриты, за исключением железного феррита, обладают отрицательной магнитострикцией, то в случае приложения внешней сжимающей нагрузки магнитные домены становятся ориентированными в направлении сжатия. Поэтому остаточная намагниченность в направлении сжатия теоретически становится равной намагниченности насыщения. [6]

Энергия магнитной анизотропии в ТМП определяется энергией магнитной кристаллографической анизотропии вещества пленки и энергией наведенной анизотропии. Наведенная анизотропия создается искусственно в процессе технологического цикла изготовления пленки. Напыление пленки на подложку осуществляется в присутствии внешнего ориентирующего магнитного поля, приложенного параллельно плоскости подложки. ОЛН), лежащая в плоскости пленки. [7]

Основные типы кристаллических решеток у ферромагнетиков.| Обозначение направлений и плоскостей в кристаллах индексами Миллера [ IMAGE ], Кривые намагничивания кристалла железа по разным осям. [8]

Намагниченность насыщения, температура точки Кюри, константы магнитной кристаллографической анизотропии, магнитострикцня насыщения - все это относится к основным магнитным свойствам, связанным со строением вещества. [9]

В качестве двух основных причин, приводящих к появлению магнитной кристаллографической анизотропии, следует назвать спин-орбитальное взаимодействие и магнитное дипольное взаимодействие. С магнитодипольным вкладом в энергию дело обстоит еще проще. Если рассматривать атомные магнитные моменты кристалла локализованными в узлах решетки и ориентированными параллельно, то полная энергия магнитного дипольного взаимодействия этих моментов будет, вообще говоря, зависеть от ориентации суммарного момента I относительно кристаллографических осей. [10]

Для ферритов в соответствии с теорией Танигучи [11] основным источником магнитной кристаллографической анизотропии является анизотропное обменное взаимодействие. Используя теорию кристаллического поля Ван-Флека [12], Танигучи рассчитал энергию магнитной кристаллографической анизотропии ферритов, обусловленную диполь-дипольным взаимодействием катионов, и показал, что эта энергия зависит от величины угла, образованного направлением оси магнитовзаимодействующих атомов и локальной намагниченностью. У материалов с малой величиной этого угла должно происходить направленное упорядочение ионных пар ( в кобальтсодержащих ферритах такие пары, по-видимому, Со2 - Со2), что и обусловливает возникновение наведенной магнитной анизотропии. [11]

Плотность потенциальной энергии ферромагнетика складывается иэ обменной энергии, энергии магнитной кристаллографической анизотропии, упругой и магнитострикционных энергий, а также энергии сверхтонкого взаимодействия. [12]

Другим направлением в создании новых ферритовых СВЧ-устройств является применение гексаферритов с большой магнитной кристаллографической анизотропией для создания устройств миллиметрового диапазона. [13]

Параметр спин-орбитального взаимодействия может быть вычислен при рассмотрении вклада от ионов Со2 в магнитную кристаллографическую анизотропию данных ферритов. [14]

Энергию магнитного взаимодействия, зависящую от ориентации намагниченности относительно кристаллографических осей, называют энергией магнитной кристаллографической анизотропии. [15]

Страницы: 1 2 3 4