Магнитокристаллическая анизотропия
Cтраница 1
Большая магнитокристаллическая анизотропия наблюдается лишь у соединений с гексагональной или тетрагональной кристаллической структурой; поэтому из числа возможных материалов для постоянных магнитов исключаются все интерметаллические соединения с кубической структурой. [1]
Особенностью магнитокристаллической анизотропии гадолиния является также ее сильная зависимость от магнитного поля. На рис. 28.25 приведена зависимость константы магнитной анизотропии Ki гадолиния от напряженности магнитного поля Н при различных температурах Т, С. [3]
Источником магнитокристаллической анизотропии в первую очередь следует считать спин-орбитальноо взаимодействие, которое связывает спины с частично замороженными орбитальными моментами. Замораживание орбитальных моментов вызывается сильным взаимодействием магнитных ионов с кристаллической решеткой, вернее, с кристаллическим полем, которое отражает симметрию решетки. Следовательно, посредством спин-орбитального взаимодействия осуществляется косвенное влияние решетки на спины электронов. [4]
Исследования магнитокристаллической анизотропии некоторых интерметаллических соединений RCo были выполнены именно из этих соображений. Они показали, что соединение YCo5 [16, 17] и большинство других изоструктурных фаз RCos [18, 19] имеют экстремально высокие константы анизотропии, причем гексагональная ось с обычно является предпочтительной осью для вектора намагниченности. Эти открытия были быстро интерпретированы в том смысле, что фазы RCo5, где R Y, Се, Pr, Sm или смесь нескольких РЗМ, открывают новые выдающиеся потенциальные возможности для создания новых материалов для постоянных магнитов [16, 18, 20]; были сделаны первые попытки реализации этих возможностей в лабораториях. [5]
Особенностью магнитокристаллической анизотропии гадолиния является также ее сильная зависимость от магнитного поля. На рис. 28.25 приведена зависимость константы магнитной анизотропии Ki гадолиния от напряженности магнитного поля Я при различных температурах Т, С. [7]
Под энергией магнитокристаллической анизотропии, или магнитной энергией кристалла мы понимаем ту часть энергии кристалла. [8]
IV рассматриваются различные виды анизотропии: собственная магнитокристаллическая анизотропия, а также анизотропия, наведенная различными внешними воздействиями и обусловленная магнитоупругими силами. Особенно подробно рассмотрена микрофизическая природа наведенной анизотропии и связанных с ней релаксационных явлений. [9]
Заметим, что кобальт имеет высокую энергию магнитокристаллической анизотропии. [10]
Наблюдаемую высокую одноосную анизотропию, не свойственную магнитокристаллической анизотропии кубической симметрии, они правильно связали с образованием цепочечных агрегаций частиц в образцах. [11]
Полученные результаты невозможно объяснить действием лишь поля НА магнитокристаллической анизотропии и малыми отклонениями частиц от сферической формы. [12]
В электротехнических сталях увеличение содержания кремния снижает как константу магнитокристаллической анизотропии К ( от 45 кДж / м3 при 1 % Si до 28 кДж / м3 при 4 5 % Si), так и магнитостриюшю насыщения А 5, что облегчает перемагничивание материала и уменьшает потери на гистерезис. [13]
Если ферромагнитный материал находится под воздействием внешнею механического напряжения, магнитокристаллическая анизотропия в результате возникающей деформации кристаллической решетки будет изменяться на величину, которая зависит от направления и величины этой деформации. В свободном кристалле для минимизации энергии магнитокристаллической анизотропии будет возникать спонтанная деформация, зависящая от направления М относительно осей кристалла; для кубического кристалла такие деформации, измеренные вдоль кристаллографических направлений [100] и [111], когда М параллельна этим направлениям, называются константами магнитострикции и обозначаются Xjee и Ят, соответственно. [14]
Истинной анизотропией более высокого порядка, по сравнению с одноосной, является магнитокристаллическая анизотропия. Известно, что для малых приложенных полей магнитное поведение двух или более одноосных областей ( или пленок), связанных магнитостатическим или иным способом, может быть интерпретировано в терминах псевдодвуосной, трехосной или n - осной анизотропии. Однако при строго контролируемых условиях в присутствии больших приложенных полей поведение таких пленок может быть описано только в терминах суммарной одноосной анизотропии, так как ( см. ранее) корректное сложение одноосных анизотропии всегда дает другую одноосную анизотропию. [15]
Страницы: 1 2 3 4