Cтраница 1
Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения. [1] |
Тензодиод - полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт-амперной характеристики под действием механических деформаций. [2]
Тензодиод - это полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт-амперной характеристики под действием механических деформаций. [3]
Тензодиод - это полупроводниковый прибор с р-п-переходом, предназначенный для преобразования механических деформаций в электрические величины. [4]
Общий вид тензодиода. [5] |
Тензодиоды используют для измерения малых давлений, в качестве гидрофонов, сейсмографов. [6]
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [7] |
Тензодиод - это полупроводниковый диод, в котором используется изменение ВАХ под действием механической деформации. [8]
Тензодиод - полупроводниковый диод, предназначенный для применения в качестве измерителя механического напряжения. [9]
Конструкции тензодиодов. [10] |
Преимуществом тензодиодов перед тензорезисторами является их более высокая чувствительность, а также возможность измерения деформаций при всестороннем сжатии. Тензорезисторы к всестороннему сжатию мало чувствительны, так как при этом изменяется главным образом ширина запрещенной зоны, а подвижность меняется слабо. [11]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [12]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р - / г-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Коэффициент тензочувствительности тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации он значительно выше. [13]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензо-диода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [14]
Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения. [15] |