Cтраница 3
При механической деформации высота потенциального барьера p - n - перехода изменяется вследствие изменения ширины запрещенной зоны. Пластическая деформация кристалла ведет к возникновению дислокаций, являющихся центрами генерации-рекомбинации. Изменение деформации в определенных пределах вызывает перемещение дислокаций. Их плотность и концентрация центров генерации в окрестности p - n - перехода изменяется. Для обратных напряжений больше kTle ток генерации-рекомбинации пропорционален плотности реком-бинационных центров в обедненной области и корню квадратному из приложенного напряжения. Недостатком таких тензодиодов является сильная зависимость тензочувствительности и сопротивления от температуры и трудность многократного измерения деформаций вследствие накопления дислокаций. [31]