Cтраница 1
Измерение емкости диода производится на стандартных измерителях емкости. В этих приборах используется принцип емкостно-резистивного делителя. Измерители работают на частоте 10 и 180 Мгц. На частоте 10 Мгц появляется заметная ошибка за счет влияния активной проводимости p - i - n структуры, если измерение производится при нулевом смещении. При подаче на диод обратного смещения ошибка устраняется. [1]
Измерение емкости диодов производят по схеме, приведенной на рис. 70, а. [2]
Поскольку измерение емкости диодов производится при малом уровне сигнала на диоде ( 0 5 - 1 мв), сигнал на входе усилителя не превышает 50 - 100 мкв, поэтому усилитель должен иметь высокую чувствительность и низкий уровень шумов. Паразитная емкость держателя диода должна быть малой. Калибровка прибора ( переключатель П в позиции /) осуществляется подключением эталонного конденсатора Ск. После этого включают испытуемый диод и переключателем / 7j выбирают предел измерения, соответствующий ожидаемой величине емкости диода. На диод подается напряжение смещения. Когда рабочая точка находится в экстремуме вольтамперной характеристики, показание выходного прибора И минимально, так как отсутствует активная проводимость диода. Острота минимума зависит от плавности регулировки смещения. [3]
Схема для измерения добротности полупроводниковых. [4] |
Перед измерением емкости диода производят калибровку шкалы измерительного прибора, для чего переключатель П ставят в положение / ( калибровка), подключая эталонную емкость Сэ - От генератора ГСН подают переменное напряжение, величина и частота которого должны быть такими же, что и при измерении емкости диода. [5]
На рис. 77 дана схема для измерения емкости диода вышеописанным методом. [6]
Емкость туннельного диода может быть измерена теми же методами, которые используются для измерения емкости диодов ( резонансными) или методом емкостно-омического делителя. [7]
Блок-схема прибора для измерения емкости туннельных. [8] |
Для измерения емкости туннельного диода может быть использован любой из методов, применяемых обычно для измерения емкости диодов, как резонансный, так и метод емкостно-омического делителя, рассмотреный в гл. [9]
Схема для измерения входной емкости полевых транзисторов.| Схема для измерения напряжения отсечки и порогового напряжения полевых транзисторов. [10] |
От генератора синусоидального напряжения ГСН подается переменное напряжение на емкостно-омический делитель аналогично тому, как это происходило в схеме измерения емкости диодов. [11]
Схема для измерения емкости полупроводниковых приборов. [12] |
На сопротивление R2 подают от генератора ГСН переменное напряжение, величина и частота которого должны быть такими же, что и при измерении емкости диода. [13]
Перед измерением емкости диода производят калибровку шкалы измерительного прибора, для чего переключатель П ставят в положение / ( калибровка), подключая эталонную емкость Сэ - От генератора ГСН подают переменное напряжение, величина и частота которого должны быть такими же, что и при измерении емкости диода. [14]