Измерение - контактный потенциал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Еще никто так, как русские, не глушил рыбу! (в Тихом океане - да космической станцией!) Законы Мерфи (еще...)

Измерение - контактный потенциал

Cтраница 1


1 Схема возникновения разностей потенциалов после соприкосновения острия с поверхностью кристалла ( по Мейеру, Циттлау, Полли г. [1]

Измерения контактных потенциалов приводят к заключению, что эмиссия возникает вследствие понижения работы выхода электронов. Работа выхода электронов с нарастанием окисного слоя проходит через минимум, который достигается при моноатомном покрытии поверхности.  [2]

3 Прибор для изучения влияния адсорбированных молекул на электрическое сопротивление напыленных в вакууме прозрачных слоев. [3]

Измерение контактных потенциалов по методу Томсона и метод измерения сопротивления пленок сходны между собой в том отношении, что позволяют определять электронное взаимодействие как при давлении, так и в вакууме. Однако последний метод обладает тем дополнительным преимуществом, что позволяет непосредственно наблюдать влияние газа на катализатор, в то время как при измерении контактных потенциалов приходится пользоваться электродом сравнения.  [4]

Измерения контактного потенциала полупроводника как метод обнаружения различных зарядовых состояний адсорбированных на нем частиц.  [5]

Часто для измерения контактного потенциала определяют наименьшую частоту света, способную вырвать электрон из тела.  [6]

7 Схема определения контактной разности потенциалов термоэлектронным методом между вольфрамовой проволокой Wи цилиндром А, покрытым внутри исследуемым веществом. [7]

Для металлов фотоэлектрический метод измерения контактных потенциалов дает вполне удовлетворительные результаты при правильном учете теплового движения и плотности уровней вблизи границы Ферми.  [8]

Для металлов фотоэлектрический метод измерения контактных потенциалов дает вполне удовлетворительные результаты при правильном учете теплового движения и плотности уров ней вблизи границы Ферми.  [9]

Акимов провел методом вибрирующего конденсатора измерения контактных потенциалов полупроводниковых слоев в вакууме до и после адсорбции на них различных красителей, сенсибилизу-ющих фотопроводимость этих полупроводников.  [10]

Обычно работу выхода определяют фотоэлектронными методами или методами измерения контактного потенциала. Для измерения термоэлектронной эмиссии металлов необходима весьма высокая температура.  [11]

Следует, однако, помнить, что контакт при измерении контактного потенциала служит только для выравнивания уровней Ферми двух металлов. Аналогично обстоит дело с применением термина реальный потенциал. Реальный потенциал можно отождествить с величиной работы выхода электрона только тогда, когда условия его определения совпадают с экспериментальными условиями измерения работы выхода электрона. Это обычно означает, что для идентификации реального потенциала с работой выхода электрона реальный потенциал следует определять как изменение потенциала, связанное с вхождением электрона в среду, примыкающую к вакууму.  [12]

Не может ли присутствие радиоактивных атомов на поверхности образца мешать измерению контактного потенциала.  [13]

Для этой цели более подходящими являются иследования в слабых полях и измерения контактного потенциала. Общее количество адсорбированного вещества можно определить отдельно методом флэш-десорбции. Кроме того, контактный потенциал А относится к средней площади, являющейся объектом измерений и в случае низковольтной эмиссии. Трудность при таком подходе заключается в необходимости получения истинно однородной поверхности макроскопических размеров.  [14]

Эти значения могут быть найдены из измерений термоэлектронной или фотоэлектронной эмиссии или из измерений контактных потенциалов.  [15]



Страницы:      1    2    3