Измерение - работа - выход - электрон
Cтраница 2
На основании изотопных данных и результатов измерений работы выхода электронов при адсорбции кислорода можно считать, что на поверхности полупроводников существуют отрицательно заряженные молекулярные и атомарные ионы кислорода. Соотношение между этими формами зависит от температуры и химических свойств твердого тела. [16]
 |
Кривые тормозящего потенциала для чистой поверхности ( 001 Мо ( а и для поверхности кристалла ( б после экспозиции в атмосфере N и N. [17] |
Проблемы, с которыми сталкиваются при измерении работы выхода электрона, зависят от того, какие необходимо получить величины: абсолютные или относительные. Чтобы измерить силу фототока, отвечающую единице интенсивности света, и построить график Фаулера, требуется, кроме того, источник ультрафиолетового света, кварцевый монохроматор и вакуумная термобатарея. [18]
Причина отсутствия такого эффекта была выяснена из измерений работы выхода электрона из пленок РТМ полиэтилена, полученных при различных температурах термической обработки. [19]
Было показано [1, 2], что перспективным экспресс-методом оценки смазывающих свойств реактивных топлив является измерение работы выхода электрона ( РВЭ) металлов при их контакте с топливом. Для более обстоятельной проверки этого экспресс-метода в последние годы были проведены работы по сопоставлению параллельно получаемых данных: при однократной прокачке на насосах-регуляторах ( метод ВНИИНП) и при измерении РВЭ. [20]
Проведена оценка свободной поверхностной энергии и приведенного потенциала до потной стали по результатам измерения работы выхода электрона. [21]
 |
Методы контроля содержания остаточных загрязнений на поверхности подложек полупроводниковых материалов. [22] |
Применяются и другие методы контроля: Оже-спектроско - ПИЯ, В ТОМ ЧИСЛе сканирующий Оже-микрозонд, масс-спектроскопия вторичных ионов, масс-спектроскопические ( при электронной или ионной десорбции пОВврХ - ностных загрязнений), электронно-эмиссионная спектроскопия ( измерение работы выхода электронов, контактной разности потенциалов), эллипсометрия, фотоэмиссионная спектроскопия, ИК-спектроскопия. Эти методы позволяют проводить исследование адсорбированных поверхностных загрязнений на уровне л ( 10 - - - 10) монослоя. [23]
Для получения информации о процессах деформации, фазовых переходах, разрушении и других используют энергетический спектр экзоэлектронов. Низкотемпературную эмиссию электронов различной природы объединяет экзоэлектронная эмиссия. К этому же методу относится метод анализа состояния поверхности с помощью измерения работы выхода электронов. Работа выхода чувствительна к фазовым превращениям, изменению напряженного состояния. [24]
Первый метод / 7 - 9 / применяющийся за рубежом, основан на регистрации тепла, выделяющегося в процессе адсорбции. Второй, предложенный и успешно развиваемый в нашей стране [ IQ ] t заключается в измерении работы выхода электрона с металлической поверхности в зависимости от степени ее заполнения молекулами адсорбате. Уделив основное внимание обсуждению полученных результатов, вкратце рассмотрим физическую сущность указанных методов. [25]
Следует, однако, помнить, что контакт при измерении контактного потенциала служит только для выравнивания уровней Ферми двух металлов. Аналогично обстоит дело с применением термина реальный потенциал. Реальный потенциал можно отождествить с величиной работы выхода электрона только тогда, когда условия его определения совпадают с экспериментальными условиями измерения работы выхода электрона. Это обычно означает, что для идентификации реального потенциала с работой выхода электрона реальный потенциал следует определять как изменение потенциала, связанное с вхождением электрона в среду, примыкающую к вакууму. [26]
Исследование стадийного механизма процесса неполного окисления углеводородов показывает, что взаимодействие компонентов реакции на поверхности катализатора в большинстве случаев определяет его скорость. Для осуществления такой реакции необходимо взаимодействие углеводорода с кислородом. Известно, что хемосорбция углеводородов на окислах металлов может быть ассоциативной и диссоциативной. Измерение работы выхода электрона покапало, что углеводороды являются донорами электронов на поверхности большинства катализаторов. [27]
При адсорбции акцепторных молекул полупроводник заряжается отрицательно, а при адсорбции донорных - положительно. Хемосорбция также может вызвать заметное изменение электропроводности полупроводника. Так, в случае полупроводника р-типа хемосорбция акцепторных молекул приводит к увеличению, а донорных - к уменьшению электропроводности. Измерение работы выхода электрона из твердого тела во время адсорбции позволяет установить знак заряда адсорбированной молекулы. В табл. 17 приведены опытные данные об изменении электропроводности и работы выхода различных металлов и окислов металлов при хемосорбции углеводородов и кислорода. При хемосорбции углеводорода восстановления поверхности катализаторов не происходило, что было установлено специальными опытами. [28]
Па основании экспериментальных данных можно в настоящее время считать доказанным, что эти процессы протекают по параллельным и последовательным направлениям, соотношение которых зависит от температуры. Образующиеся кислородсодержащие продукты во многих случаях не являются промежуточными для реакций глубокого окисления углеводородов различных классов. Адсорбция же продуктов реакции на поверхности почти для всех окисленных углеводородов тормозит скорость процесса. Измерение работы выхода электрона при адсорбции таких кислородсодержащих веществ показало, что они все доноры электронов, так же как и углеводороды, и, вероятно, сорбируются на тех же участках поверхности. Характер адсорбции кислородсодержащих продуктов и углеводородов различен: кислородсодержащие продукты сорбируются прочно и необратимо при температурах катализа, углеводороды же сорбируются почти равновесно и обратимо. Вероятно, в этом причина торможения скоростей окисления углеводородов продуктами реакции. [29]
Ni, Pt), полученных в ультравакууме ( 10 - 9 - 10 11 мм), показало, что такие пленки обладают большой ненасыщенностью. Молекулы Н2г 02 и других газов хемосорбируются на них без энергии активации. Малые значения дипольного момента этих хемосорбированных слоев, обнаруживаемые измерениями работы выхода электронов, указывают на образование ковалентной связи. Вероятно, в ней участвуют d - электроны металлов. В присутствии загрязнений может наблюдаться энергия активации за счет химич. [30]
Страницы: 1 2 3