Измерение - контактная разность - потенциал
Cтраница 3
Поскольку обычный способ измерения фотоэлектрической работы выхода по Фаулеру к полупроводникам не применим, следует проявлять большую осторожность, пользуясь для этих веществ методом контактной разности потенциалов. В лаборатории автора данные получали [25], комбинируя измерения контактной разности потенциалов и работы выхода полупроводниковых металлов в единой экспериментальной установке. Это позволило распознавать ложные изменения рассматриваемых величин и получать абсолютные, а не относительные данные. Было найдено, что величины работы выхода для атомно-чистых граней ( 100), ( 111) и ( 110) поверхности германия совпадают в пределах ошибки эксперимента. [31]
 |
Кривые, полученные при адсорбировании серы физическим путем, при промывании в толуоле. [32] |
Вопрос состоит в том, чтобы отличить серу, которая осаждается в виде сульфида, от серы, которая может быть адсорбирована химическим путем. Из методов, с помощью которых можно установить это различие, был избран метод измерения контактной разности потенциалов двух металлов или вольтовской разности потенциалов. [33]
В литературе контактные разности потенциалов для различных металлов указываются относительно какого-либо стандартного металла, обычно Pt. Контактные разности потенциалов очень сильно зависят от поверхностных загрязнений ( например, наличия окислов, адсорбированных полярных газов), поэтому методы измерения контактных разностей потенциалов применяются при исследовании адсорбционных явлений. [34]
Особенно важное значение имеет определение работы выхода при наличии и в отсутствие хемосорбированных слоев, поскольку, как это будет показано ниже, полученные результаты могут быть непосредственно сопоставлены с теплотами адсорбции. Хотя некоторые весьма ценные сведения были получены измерением термоионной эмиссии [33], фотоэмиссии [34] и эмиссии холодных катодов [35], в большинстве исследований применялся метод измерения контактной разности потенциалов. [35]
 |
К измерению контактно. pjj. [36] |
Контактная разность потенциалов должна измеряться, очевидно, элек 1роста жчееннм нлмсршслсм напряжения. ПриСиры oiuiu ним ( электростатические вольтметры, электрометры) нелегко сделать достаточно точными в диапазоне малых напряжений, порядка вольта, как это требуется при измерении контактной разности потенциалов. Разомкнув затем ключ К, раздвигают пластины конденсатора. [37]
Одним лз способов исследования является измерение контактной разности потенциалов между полупроводником и стандартным электродом, работу выхода которого можно считать не зависящей от окружающей среды. [38]
 |
Знак заряда носителей фототока в красителях различных классов. [39] |
Бергмана регистрируются диффузионные фототоки или же поверхностные эффекты, возникающие на контакте с диэлектрической пленкой. Эта точка зрения была опровергнута Акимовым путем измерения контактной разности потенциалов при освещении. [40]
Хотя величина контактного потенциала сильно зависит от состояния поверхности, но для одинаковых поверхностей все приведенные методы дают хорошо совпадающие между собой результаты. Следует, впрочем, помнить, что оптическое удаление электрона ( метод фотоэффекта) может оставить полупроводник в поляризованном состоянии, тогда как сравнительно медленный выход электрона при термоэлектронном испускании успевает устранить поляризацию среды. Поэтому фотоэлектрический метод может дать несколько более высокое значение работы выхода, чем термическое испускание или измерение равновесной контактной разности потенциалов. [41]
 |
Схема определения контактной разности потенциалов термоэлектронным методом между вольфрамовой проволокой и цилиндром А, покрытым внутри исследуемым веществом. [42] |
Хотя величина контактного потенциала сильно зависит от состояния поверхности, но для одинаковых поверхностей все приведенные методы дают хорошо совпадающие между собой результаты. Следует, впрочем, помнить, что оптическое удаление электрона ( метод фотоэффекта) может оставить полупроводник в поляризованном состоянии, тогда как сравнительно медленный выход электрона при термоэлектронном испускании успевает устранить поляризацию среды. Поэтому фотоэлектрический метод может дать для полупроводника несколько более высокое значение работы выхода, чем термическое испускание или измерение равновесной контактной разности потенциалов. [43]
Одновременно были осуществлены физико-химические исследования катализаторов этих процессов, имеющих различный состав, методами рентгеноструктурного и термографического анализов, адсорбционными измерениями, измерениями контактной разности потенциалов ( работа выхода электрона) и др. Получены кинетические уравнения, описывающие брутто-процесс окисления и окислительного аммонолиза пропилена, и уравнения скоростей образования целевых и побочных продуктов указанных реакций. [44]
Ривьере, Англия) дан критический обзор методов и результатов исследования работы выхода металлов, некоторых полупроводников и бинарных соединений. Автор хорошо известен своими исследованиями работы выхода металлов. В главе подробно рассмотрены различные методы определения работы выхода: термоэлектронная эмиссия, фотоэлектрические измерения, холодная эмиссия, разные варианты измерений контактной разности потенциалов и, наконец, измерения поверхностной ионизации. Приводятся довольно подробно отдельные детали конструкций для тех или других экспериментальных методик. Автор широко дискутирует вопрос о надежности и точности тех или иных методов и проводит сопоставление результатов, полученных разными методами. Следует особо отметить, что обзор Ривьере достаточно полно отражает исследования советских авторов. [45]
Страницы: 1 2 3 4