Измерение - фотопроводимость
Cтраница 1
 |
Модели смещенных F - и Кгцентров. [1] |
Измерения фотопроводимости позволяют получить их диффузионную длину. [2]
Измерения фотопроводимости в высокоомпых кристаллах германия, легированных железом, кобальтом и никелем, при 77 К приводят к качественно подобным результатам. Величины энергий ионизации, выведенные из пороговых значений примесной фотопроводимости в образцах электронного и дырочного типов, согласуются со значениями, указанными в таблице. Исключение составляют образцы тг-типа, легированные железом. В этом случае измерения фотопроводимости дают несколько более глубокие уровни, подобные наблюдаемым в электронных образцах, легированных кобальтом и никелем. Вообще говоря, электронные образцы обладают большей фоточувствптелыюстыо, чем дырочные, проявляют эффект гашения тока и обнаруживают более медленную реакцию на изменения интенсивности света. [3]
При измерениях фотопроводимости бывает трудно устранить мешающий параллельный ток фотоэлектронов из материала в вакуум. Если такой ток имеется, то нет ничего удивительного в том, что оба порога совпадают. [4]
Из результатов измерения фотопроводимости ( см. разд. ТОПЗ), необходимо продвинуться в область больших температур. [5]
Рассмотрим сначала установку для измерения фотопроводимости ( фиг. [6]
 |
Зависимость Igf от - уг для некоторых красителей. [7] |
К такому же заключению приводят измерения фотопроводимости ароматических углеводородов. Для измерений объемного фототока один из электродов делается полупрозрачным. При этом наблюдается заметная зависимость фототока от полярности приложенного напряжения. [8]
 |
Схема для наблюдения отрицательной фотопроводимости в магнитном поле. [9] |
Образец включен в обычную цепь для измерения фотопроводимости. [10]
Одно из наиболее важных приложений методов измерения фотопроводимости связано с определением времени жизни неосновных носителей по затуханию фотопроводимости. Генерация избыточных носителей заряда происходит при облучении образца светом с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны. [11]
 |
Строение энергетических зон ( схематическое. а - беспримесный полупроводник, б - наполовину заполненная зона проводимости, в - расположение внахлестку зон проводимости и валентных уровней. [12] |
Другие методы определения Wg основаны на измерении фотопроводимости или отражающей способности. [13]
В некоторых случаях был применен обычный метод измерения фотопроводимости при постоянном или переменном освещении, давший результаты, в общем совпадающие с результатами первого метода. [14]
Подвижности носителей тока были определены также Гудвином [15] из измерений фотопроводимости и фотомагнитного эффекта ( см. гл. Его результаты в основном находятся в хорошем согласии сданными, полученными из измерений постоянной Холла. [15]
Страницы: 1 2 3 4