Cтраница 1
Вид потенциальной функции внутреннего вращения и уровни энергии для этаноподобных молекул.| Функция потенциальной. [1] |
Измерение низких частот в микроволновой спектроскопии позволяет определять барьеры инверсии молекул типа NH3, PH3, AsH3 и др., а также барьеры инверсии и сгибания циклов. Два эквивалентных минимума разделены барьером. [2]
Для измерения низких частот находят также применение частотомеры - логометры, осуществляемые иногда в виде самописцев и имеющие класс точности 0 2 - 0 5, а также вибрационные частотомеры, содержащие электромагнит и ряд стальных язычков, имеющих различную собственную резонансную частоту и расположенных в поле общего электромагнита. [3]
Для измерения низких частот создаются также цифровые частотомеры с непосредственным отсчетом частоты с предвключенньши умножителями частоты. [4]
При измерении низких частот погрешность дискретности является определяющей составляющей погрешности измерения. Например, если измеряется частота / ж 5 Гц ори Л / к1 с, то максимальное значение абсолютной погрешности дискретности 1 Гц, а максимальное значение относительной погрешности составит 20 %, что недопустимо велико. [5]
При измерении низких частот число импульсов N невелико и погрешность может быть значительной. Для ее уменьшения необходимо увеличивать время измерения АГ, что не всегда целесообразно и возможно. [6]
При измерении низких частот число импульсов Ломало, и ошибка может составить десятки процентов. Для ее уменьшения требуется увеличивать время измерения, что практически неудобно. Принцип измерения длительности периода аналогичен принципу измерения частоты с той лишь разницей, что селектор открывается импульсом, формируемым из напряжения измеряемого периода, а считаются импульсы, полученные из напряжения опорного генератора. [7]
К определению погреш - ления двух случайных не-ности дискретности зависимых погрешностей. [8] |
При измерении низких частот число импульсов N невелико и погрешность можег быть значительной. Для ее уменьшения необходимо увеличивать время измерения AT, что не всегда целесообразно и возможно. [9]
При измерении низких частот погрешность дискретности является определяющей. Так, при / 10 Гц и ИЮ с относительная погрешность дискретности составляет 0 01 и полностью определяет общую погрешность. Поэтому для повышения точности измерения низких и инфраниз-ких частот вместо измерения частоты измеряют длительность периода Тх иссл-едуемого колебания. [10]
При измерении низких частот число импульсов N мало и ошибка может составить десятки процентов. Принцип измерения периода аналогичен принципу измерения частоты с той лишь разницей, что селектор открывается импульсом, формируемым из напряжения измеряемого периода, а считаются импульсы, полученные из напряжения опорного генератора. [11]
При измерении низких частот с требуемой в большинстве случаев высокой точностью необходимо весьма значительное время измерения. [12]
При измерении низких частот с помощью цифровых герцметров могут получаться значительные погрешности. Поэтому низкие частоты обычно определяют путем измерения периода Т: IIfх - Так, для fx 50 Гц значение Тх 20000 мкс. [13]
Основными методами измерения низких частот являются методы сравнения, заряда и разряда конденсатора, мостовые. [14]
В случае же измерения низких частот погрешность дискретности является определяющей. Действительно, при / Изм10 гц ( б / 5 - ГО-6 и А / к1 сек) погрешность дискретности составляет 0 1 гц и полностью характеризует общую абсолютную погрешность Af5 10 - 5 / изм 0 1 гц 0 1 гц. Относительная погрешность составляет 10 %, что очень много. [15]