Эпитаксиальный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Мы медленно запрягаем, быстро ездим, и сильно тормозим. Законы Мерфи (еще...)

Эпитаксиальный транзистор

Cтраница 1


Эпитаксиальный транзистор - транзистор, изготовленный путем напыления тонких пленок на поверхность полупроводниковой пластинки. Исходная пластинка обычно служит коллекторной областью будущего транзистора. Напыляя на одну из поверхностей этой пластинки поочередно тонкие слои подходящих веществ ( иногда в сочетании с диффузией необходимых примесей), создают слои, выполняющие роль базовой и эмиттерной областей.  [1]

Недостатком эпитаксиальных транзисторов следует считать трудности получения однородных пленок на больших площадях. От этого недостатка свободен ламинарный транзистор, изготовленный методом тройной диффузии. Изготовление транзистора начинается получением из твердой фазы слоя п в исходном вы-сокоомном кремнии. Пластина подвергается предварительно осаждению пятиокиси фосфора на поверхность. Затем в печи в течение 50 ч проводится диффузия фосфора в кремнии. После диффузии область п сошлифовывают, оставляя тонкий слой - коллекторную область. Далее, на основе подготовленной пластины с коллектором начинается процесс изготовления планар-ного транзистора.  [2]

В эпитаксиальных транзисторах рис. 11.32 г) исходный материал 2 берется с низким сопротивлением.  [3]

4 Проходные характеристики образцов КПТ при отношении концентраций Ns0 / Na ( s 0 15. 0 175.| Распределение концентраций примесей в канале эпитакеиального полевого транзистора с верхним затвором. [4]

В эпитаксиальных транзисторах распределение концентрации донорных примесей симметрично относительно середины канала, я перекрытие канала осуществляется со стороны верхнего и нижнего соединенных затворов.  [5]

При изготовлении эпитаксиальных транзисторов так называемым комбинированным способом ( рис. 4.31, б) перед наращиванием эпитаксиального слоя в соответствующих местах в пластине создается диффузионный - слой. Этот способ позволяет пол учить транзисторы С t / к.  [6]

Такой же тип зависимостей существует и для эпитаксиальных транзисторов.  [7]

Эпитаксиальный метод можно использовать также для изготовления полностью эпитаксиальных транзисторов путем эпитаксиального выращивания коллекторной, эмиттерной и базовой областей.  [8]

В настоящее время на многих предприятиях ведутся работы по созданию эпитаксиальных транзисторов, выпрямительных и управляемых диодов и других полупроводниковых приборов.  [9]

Теперь, после того как мы проанализировали основные фазы производства, мы в качестве примера рассмотрим, каким образом изготовляют одну из наиболее распространенных разновидностей транзисторов-планарньш эпитаксиальный транзистор.  [10]

Мы уже упоминали о том, что если использование эпитаксиальных пленок для изготовления маломощных низковольтных транзисторов внедрено достаточно широко, то применение эпитаксиального выращивания для создания мощных транзисторов с малым сопротивлением насыщения встретилось с серьезными трудностями, хотя в настоящее время уже начат выпуск ряда типов мощных эпитаксиальных транзисторов. Трудности, препятствующие использованию эпитаксиальных пленок в мощных приборах, связаны с дефектами, образующимися в пленках при их выращивании. В периодической литературе имеется очень много статей, посвященных изучению различного рода дефектов в эпитаксиальных пленках.  [11]

Преимуществами такой структуры являются более низкие токи утечки между переходами, а также надежная и прочная конструкция, которая делает характеристики прибора менее зависимыми от условий окружающей среды. В табл. 11.1 приведены некоторые типичные параметры эпитаксиальных транзисторов.  [12]

Технологический тип транзистора выбирается с учетом его специфических особенностей. Так, например, при низких частотах до 10 - 20 Мгц в широком диапазоне мощностей и токов во всех схемах могут применяться сплавные транзисторы, имеющие к тому же наиболее низкую стоимость. Специфической областью применения микросплавных и эпитаксиальных транзисторов следует считать высокочастотные переключающие схемы мультивибраторов и триггеров с непосредственными связями, однако следует иметь в виду их сравнительно высокую стоимость. Областью применения сплавно-диффузионных транзисторов являются высокочастотные резонансные и апериодические усилители, низковольтные скоростные генераторы импульсов и переключатели; конверсионных - генераторы и усилители радиопередающих устройств средних мощностей и средних частот, переключатели сравнительно больших токов и небольших напряжений при средних скоростях.  [13]

14 Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [14]

Уменьшение удельного сопротивления коллектора снижает пробивное напряжение коллекторного перехода. Чтобы сохранить достаточно высоким напряжение / Кбодоп. Такой транзистор с промежуточным слоем между базой и коллектором называют эпитаксиальным транзистором ( рис. 3.39, а) так как для получения слоя 2 высокого сопротивления применяется так называемое эпитаксиальное наращивание полупроводника. В качестве химического соединения применяют хлориды германия.  [15]



Страницы:      1    2