Cтраница 2
С целью уменьшения ТИ в дрейфовых транзисторах методами эпитаксиалыюго наращивания и встречной диффузии получают очень тонкие ( 5 - 8 мк) высокоомные слои в теле коллектора. Величины 7 н для дрейфовых транзисторов с толстым высокоомным слоем в теле коллектора ( 70 - 100 мк) лежат в диапазоне 0 5 - 1 мсек. Транзисторы с встречной диффузией со стороны коллектора имеют 7, 30 нсек. Лучшие ти-пы эпитаксиальных транзисторов имеют Гн5 нсек. [16]