Фотоэлектрическое измерение

Cтраница 1

Фотоэлектрические измерения Хантера [6] также противоречат предположению де - Бура о сравнительно большой энергии активации образования поверхностных окисей. Согласно измерениям Хантера, потенциал выхода фотоэлектронов для некоторых металлов при комнатной температуре не возрастает при окислении, как этого следовало бы ожидать согласно схеме де - Бура, а падает; только образование толстого слоя высокотемпературной окиси на поверхности металла приводит к увеличению потенциала выхода. [1]

Фотоэлектрические измерения, как правило, более точны. В хороших условиях достижима точность относительных измерений до 0 1 %, а точность 1 % является обычной. Это примерно на порядок выше, чем точность, даваемая фотографической пластинкой. [2]

Фотоэлектрические измерения интенсивности точнее и быстрее фотографических и при фотоэлектрической регистрации спектра точность и быстрота анализа определяются в основном остальными его звеньями. Для того чтобы воспользоваться преимуществами фотоэлектрической регистрации, приходится предъявлять высокие требования ко всей аппаратуре и приемам обработки пробы. [3]

Почему фотоэлектрические измерения столь чустви-тельны к природе поверхности фотокатода. [4]

Почему фотоэлектрические измерения весьма чувствительны к природе и состоянию поверхности фотокатода. Может ли золотая пластинке служить фотосопротивлением. [5]

Проведя фотоэлектрические измерения растворов после адсорбции по градуировочной кривой, находят значения равновесных концентраций растворов. По изменению концентрации растворов до и после адсорбции определяют количество адсорбированного вещества. [6]

Для фотоэлектрических измерений с дифракционными монохроматора-ми выпускается фотоэлектрическая приставка ФЭП-3. Сканирование спектра происходит путем поворота решетки. [7]

При фотоэлектрических измерениях, когда на спектрограмме сразу получается фотометрическая характеристика линий, обычно применяются настолько широкие щели, что точность определения положения линий оказывается еще меньше, чем при фотографической регистрации. Таким образом, определение положения линий комбинационного рассеяния света с точностью до 0 5 см 1 достигается лишь путем затраты значительного труда. К тому же такого рода определения могут представлять интерес лишь в очень редких случаях. Не исключено, что подобные измерения могут иметь известный смысл при установлении смещения положения линии при изучении некоторых внутримолекулярных или межмолекулярных влияний, хотя такие влияния обычно гораздо резче проявляются в изменении ширины и интенсивности линий, чем в изменении их положения. Для громадного большинства задач, в том числе и для аналитических проблем, можно вполне ограничиться точностью в 1 - 2 см 1, что, как сказано выше, достигается при визуальной оценке положения центра почернения линии. [8]

При фотоэлектрических измерениях об интенсивности люминесценции судят по величине электрического тока, который возникает в цепи фотоэлемента. Сила тока пропорциональна световому потоку, падающему на фотоэлемент, и измеряется гальванометром. [9]

При фотоэлектрических измерениях интенсивность флюоресценции измеряют с помощью фотоэлементов или фотоумножителя. Сила фототока в определенном интервале прямо пропорциональна концентрации. Измерив фототоки для шкалы стандартов, строят граду-ировочный график и по нему определяют концентрацию исследуемого вещества. [10]

Схема сочленения поляриметра со спектральным прибором. [11]

При фотоэлектрических измерениях пользуются монохромато-ром. Поляризационная призма типа Волластона ставится перед его щелью с расчетом развести пучки максимально удобным образом, позволяющим после выходной щели монохроматора установить два фотоэлемента, с помощью которых можно измерить отношение интенсивностей обоих пучков. Здесь можно рекомендовать и фотоконденсаторные схемы, приведенные на рис. 462 и 465 ( см. § 4 гл. При использовании фотоэлементов следует всегда иметь в виду, что их световые характеристики могут зависеть от состояния поляризации действующих пучков. Поэтому фотометрическая градуировка фотоэлектрических схем должна производиться в поляризованном свете. [12]

При фотоэлектрическом измерении оптической плотности растворов проб и эталонов концентрацию вещества определяют по градуировочному графику зависимости D от с. Для построения градуировочного графика готовят ряд эталонных растворов, проводят все операции, требующиеся для анализа пробы, и измеряют оптическую плотность каждого раствора относительно раствора сравнения при выбранной длине волны и кювете. Определив оптическую плотность испытуемого раствора Dx, находят сх определяемого вещества. [13]

Важным преимуществом фотоэлектрических измерений в спектральном анализе является то, что значение фототока с большой степенью приближения прямо пропорционально интенсивности измеряемой линии. Для сохранения линейности необходимо также, чтобы напряжения на динодах оставались постоянными независимо от интенсивности падающего света и анодного тока. С этой целью динодную цепь конструируют таким образом, чтобы сила тока через нее по крайней мере на два порядка превышала максимальное значение анодного тока. [14]

При проведении фотоэлектрических измерений следует иметь в виду то обстоятельство, что фотоэлемент 4 размещается с внешней стороны стенки, вследствие чего его освещенность отличается от определяемой освещенности внутренней поверхности за счет влияния оптического сопротивления стенки. Поэтому те места поверхности, в которых будут проводиться измерения освещенности, должны быть предварительно исследованы в отношении вносимого оптического искажения с тем, чтобы внести соответствующие коррективы. [15]

Страницы: 1 2 3 4