Эллипсометрическое измерение

Cтраница 1

Эллипсометрические измерения проводятся на приборах, называемых эллипсометрами. [2]

Эллипсометрические измерения Тафта и Кордиса [156] показали, что в пределах 0 6 нм показатель преломления пограничного слоя отличен от его значения для диоксида кремния. [3]

Эллипсометрические измерения [30, 31] и метод потенциодинамических кривых заряжения показывают, что в растворах электролитов, хорошо растворяющих окислы германия ( концентрированная фтористоводородная кислота или щелочь), в стационарных условиях германиевый электрод покрыт приблизительно монослоем кислорода. При анодном окислении ( даже в условиях быстрого анодного растворения материала электрода) это количество существенно не увеличивается. При катодном восстановлении большая часть хемосорбированного кислорода восстанавливается и удаляется с поверхности; далее электрод покрывается монослоем хемосорбированного водорода. [4]

Проводят эллипсометрические измерения параметров синтезированных объектов, рассчитывают толщину ( см. работу 9.4) и определяют постоянную роста пленки. [5]

Значение эллипсометрических измерений неуклонно возрастает в связи с увеличением удельного веса изделий микроэлектроники в общем объеме производства приборов. Так, в тонкопленочной полупроводниковой электронике поляризационные оптические методы используются для определения толщин и показателей преломления тонких пленок на кремниевых и германиевых подложках. Относительная простота эллипсометрических методов позволяет проводить поляризационно-оптические измерения на любой стадии технологического процесса, а также исследовать кинетику процесса формирования тонких пленок. [6]

Возникновение эллиптически поляризованного света при отражении. [7]

Соответствующие уравнения слишком сложны, поэтому данные эллипсометрических измерений, как правило, обсчитывают только с помощью ЭВМ. [8]

Контроль воспроизводимости слоев по толщине осуществляют с помощью интерферометрических и эллипсометрических измерений. Быстрое измерение толщины отдельных слоен возможно с помощью резерфордовского рассеяния, а также путем измерения: наведенной активности слоев, подвергнутых активации нейтронами. [9]

Каковы основные требования, предъявляемые к поверхности образца при проведении эллипсометрических измерений. [10]

Основные литературные источники по оптическим постоянным в ИК-области и показатели преломления растворителей. [11]

Показатели преломления сжиженных газов представляют интерес, в частности, при рефрактометрических и эллипсометрических измерениях адсорбированных газов. [12]

Из-за важности GaN в настоящее время предсталяем здесь пример такого рода вычислений и их сравнение с эллипсометрическими измерениями ( cj) для модификации этого полупроводника типа вюрцита. Поскольку структура вюрцита - оптически одноостная, для описания оптического поведения GaN нужны две группы диэлектрических функций: одна для Е J с и другая для Е с. На рис. 6.55 представлена ( cj) для Е J с, полученная эллипсометрически для GaN при использовании синхротронного излучения в качестве источника света. Исследуемая эпитаксиальная тонкая пленка, ориентированная перпендикулярно к оси с, не допускает измерений в Е с поляризационной конфигурации. Расчеты показывают, что пик Е отщепленный от Е шестиугольным полем кристалла, для Е с появляться не должен. Вычисления на рис. 6.55 начинаются с аЪ initio псевдопотенциала и включают так называемую коррекцию собственной энергии квазичастицы между возбужденным электроном и оставшейся дыркой плюс экситонное взаимодействие между квазичастицами. [13]

Схема эллипсометра, иллюстрирующая последовательность оптических компонент и оптического пути. [14]

Прямое доказательство присутствия на электродах при высо-их потенциалах скорее окисной фазы, чем адсорбированного кис-орода, получают из эллипсометрических измерений. [15]

Страницы: 1 2