Диэлектрическая изоляция

Cтраница 2

Особое внимание привлекает диэлектрическая изоляция, которая позволяет повышать рабочую частоту линейных интегральных схем, быстродействие цифровых интегральных схем и рабочие напряжения обоих видов. Рабочая частота и быстродействие увеличиваются вследствие того, что при изоляции диэлектриком примерно в 25 раз снижается емкость коллектор - подложка. Напряжение на участке коллектор - подложка, которое обычно равно 100 в, в несколько раз возрастает, достигая нескольких сот вольт. Улучшается также радиационная стойкость схем. [16]

В результате несовершенства диэлектрической изоляции в коаксиальном кабеле возникает радиальный ток. [17]

Интегральные микросхемы с диэлектрической изоляцией по многим параметрам превосходят микросхемы с изоляцией р-п-переходом. При изоляции поликристаллическим кремнием не образуются паразитные транзисторные структуры, влияние которых в ряде случаев оказывается существенным. При изопланарной и анизотропной изоляциях рабочие транзисторы изолируются от подложки р-п-переходом, который возникает между скрытым коллекторным слоем и подложкой. При этом из-за взаимодействия базовых областей транзисторов и скрытых слоев с подложкой образуются паразитные транзисторы. Однако эти транзисторы обладают сравнительно малым коэффициентом передачи тока, так как сильно легированный скрытый слой, являющийся базой паразитного транзистора, обладает низкими инжек-ционными свойствами, малым временем жизни носителей и большим временем пролета. При диэлектрической изоляции заметно уменьшаются токи утечки на подложку и паразитные емкости. [18]

Укрупненная схема технологического процесса изготовления ИС эпитаксиально-планарной структуры со скрытым п - слоем. [19]

Недостатком структуры с диэлектрической изоляцией является длительность и сложность технологического процесса, в частности механической обработки, которую проводит предприятие-изготовитель микросхем. [20]

Амплитудно-частотная ( / и фазочастотная ( 2 характеристики ОУ типа.| Основные схемы включения ОУ типа LM118. [21]

Усилитель выполнен с диэлектрической изоляцией компонентов и с применением пленочных интегральных резисторов. [22]

Таким образом, методы диэлектрической изоляции элементов еще находятся в стадии становления. Они безусловно перспективны и в дальнейшем будут совершенствоваться. [23]

Основной операцией при создании полной диэлектрической изоляции в структурах КНД является формирование монокристаллических пленок кремния на диэлектрике. Для изготовления КНД применяются следующие методы: локальная гомоэпитаксия, графоэпитаксия, рекристаллизация из расплава, метод имплантации каналлируемых ионов кремния в пленку поликремния, нанесенную на оксид, с последующей рекристаллизацией. [24]

При создании схем с диэлектрической изоляцией в качестве исходного материала используют кремний - типа. В дальнейшем этот слой используют в качестве подложки интегральной схемы. При этом в образовавшейся структуре все области монокристалличее кого кремния n - типа оказываются изолированными друг от друга пленкой двуокиси кремния. [25]

При создании схем с диэлектрической изоляцией в качестве исходного материала используют кремний n - типа. В дальнейшем этот слои используют в качестве подложки интегральной схемы. При этом в образовавшейся структуре все области монокристалличес - кого кремния - типа оказываются изолированными друг от друга пленкой двуокиси кремния. [26]

Структура диффузионного резистора.| Эквивалентная схема диффузионного сопротивления.| Структура конденсатора типа металл-окись-полупроводник.| Эквивалентная схема конденсатора. [27]

Элементы полупроводниковых ИС с диэлектрической изоляцией можно рассматривать как дискретные компоненты, с той лишь разницей, что между определенными точками интегральной схемы необходимо включать конденсаторы, учитывающие паразитные емкости, обусловленные наличием слоев диэлектрика. [28]

Технологические варианты выполнения контрольной кольце - А вой топологии мозаики фотодио -, Дов. [29]

А - структура с диэлектрической изоляцией элементов; В - толстослойная структура со сниженной длиной диффузионного смещения носителей в базовой области; В - тонкослойная структура на изолирующей подложке; Г - тонкослойная структура - мембрана; 1 3 4 - то же, что на рис. 1; 6 - диэлектрическая изоляция; 7 - подложка. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5