Инкрустация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Есть люди, в которых живет Бог. Есть люди, в которых живет дьявол. А есть люди, в которых живут только глисты. (Ф. Раневская) Законы Мерфи (еще...)

Инкрустация

Cтраница 1


Инкрустация образуется также на стенках трубок подогревателя очищенного рассола и в коммуникациях содового раствора. На стенках трубок выпадает слой поваренной соли. Корку соли растворяют горячим конденсатом. Такую промывку производят один раз в 3 месяиа.  [1]

Инкрустации образуются в результате гетерогенного образования зародышей кристаллов на поверхности.  [2]

Инкрустации образуются в результате возникновения зародышей кристаллов в растворе, находящемся в микрорельефе поверхности. Возникшие зародыши механически удерживаются в неровностях поверхности и служат кристаллической подкладкой для дальнейшего отложения инкрустаций.  [3]

Инкрустации, образующиеся на цепях, отваливаются сами по достижении определенной величины и перетираются цепями в нижней части аппарата. Длительность работы такого смесителя доходит до 6 месяцев, однако стенки аппарата сильно истираются цепями.  [4]

5 Кристаллизаторы. с мешалкой ( а, б, барботажный ( в, Чернова - Ковзуна ( г и Степина - Гойхраха ( д. [5]

Инкрустации на стенках стакана в большинстве случаев не образуются. Появившаяся корочка кристаллов, приставших к стенке стакана, легко снимается стеклянной палочкой после временной остановки мешалки.  [6]

Инкрустацию поверхностей выпарного аппарата авторы рассматривают как процесс, происходящий в основном по следующим причинам.  [7]

8 Организация клеточной оболочки по данным электронной микроскопии. [8]

От инкрустации следует отличать процесс адкрустации, под которым понимают скопление вещества на поверхности клетки. Так, кутип, выделяясь наружу, затвердевает и образует кутикулу. Подобного рода образование возникает на вегетативных клетках у порфиры, на оогониях у здогониума, на эпи-дермальных клетках у многих бурых водорослей.  [9]

10 Рубанки специального назначения. [10]

При инкрустации рамками, расположенными внутри поля, наибольшие затруднения вызывает вырезка углов. Для облегчения этой работы следует просверлить в этих углах отверстия диаметром на 0 5 мм менее толщины вставки и поместить в них металлические штыри. Затем, прикладывая к штырям стальную линейку, можно точно очертить и вырезать канавку. Штыри послужат ограничителями от проскакивания резца.  [11]

Вследствие инкрустации поверхности аппарата резко падает коэффициент теплопередачи, поэтому отмечается высокий расход воды. При кристаллизации гидроокиси бария кристаллы получаются мелкими вследствие того, что исходные растворы смешиваются при температуре ниже температуры кристаллизации, то ухудшает отмывку от хлора и связано с получением продукта повышенной влажности. Кроме того, вследствие протекания процесса кристаллизации в открытой аппаратуре наблюдается заметное повышение содержания углекислого бария в продукте за счет поглощения СО2 из окружающей атмосферы.  [12]

Уменьшению инкрустации способствует также присутствие твердых частиц соли в кипящей щелочи и высокая скорость циркуляции раствора, при которой соль находится во взвешенном состоянии. Частицы соли, содержащиеся в растворе, являются центрами кристаллизации, поэтому уменьшается засоление греющих трубок и стенок аппаратов. Одновременно происходит укрупнение кристаллов соли, что облегчает ее последующее отфильтровывание. Так как наличие в выпариваемом растворе 12 - 15 % взвешенной твердой соли полезно, соль не выводят из каждого выпарного аппарата, а передают вместе с раствором из предыдущего аппарата в последующий и выводят только из последнего корпуса выпарной установки. При транспортировании смеси соли с раствором ( пульпы) из одного аппарата в другой всегда возможно оседание соли в трубопроводах и забивка их. Однако забивка устраняется при высокой скорости пульпы ( 1 - 2 м / сек), уклоне трубопроводов в сторону ее движения и своевременной промывке трубопроводов.  [13]

Причиной инкрустаций на оборудовании является перекристаллизация образующихся в первый момент метастабильных соединений в менее растворимую устойчивую твердую фазу. Поэтому процесс очистки следует проводить в условиях, обеспечивающих появление в реакторе наиболее устойчивых соединений. В частности, для образования однородных кристаллов гипса при очистке рассола, приготовленного из обратной соли цеха выпаривания диафраг-менных щелоков, процесс следует вести при 25 - 35 С, а для образования однородных кристаллов пентасоли в процессе де-сульфатизации анолита ртутного электролиза температура должна быть выше 85 С.  [14]

Образование инкрустаций происходит наиболее интенсивно в смесителе, реакторе и в коммуникациях, соединяющих смеситель и реактор с отстойником. В течение года толщина инкрустаций в этих аппаратах достигает 100 - 120 мм. В коммуникациях очищенного рассола толщина инкрустаций не превышает 3 - 5 мм за год.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5