F-полоса
Cтраница 3
Таким образом, с понижением температуры кристалла уменьшается вероятность попадания электрона с уровня возбуждения в зону проводимости при неизменном значении коэффициента поглощения в максимуме F-полосы. F-полосе может совсем прекратиться, хотя способность F центров поглгщать свет сохраняется неизменной. Такая интерпретация зависимости кривых спектрального распределения вспышечного действия видимого света от температуры кристалла подтверждается измерениями зависимости интенсивности вспышки от температуры кристалла Опыты проводились следующим образом. Кристалл № С был окрашен рентгеновыми лучами при комнатной температуре, после чего он был охлажден до те, пг-ратуры жидкого воздуха. [31]
 |
F - полоса поглощения окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений. [32] |
Кристаллы, окрашенные рентгеновыми лучами или светом, соответствующим спектральной области собственного поглощения, могут быть обесцвечены путем нагревания или при поглощении света в спектральной области F-полосы. [33]
Наблюдения автора были затем подтверждены в работе Этцеля и Шульмана [272], где было показано, что с увеличением концентрации серебра в фосфоре NaCl-Ag коэффициент поглощения в максимуме F-полосы падает, а в максимуме атомарной полосы ( 276 / пи) - возрастает и притом таким образом, что их сумма сохраняется величиной постоянной. [34]
К такому же выводу приводят исследования зависимости спектров поглощения этих фосфоров от концентрации активатора ( рис. 70): чем меньше концентрация активатора, тем сильнее оказывается поглощение в F-полосе, и наоборот. Эти явления, как показали опыты с аддитивно окрашенными фосфорами, нельзя объяснять конкуренцией между активаторными центрами захвата и f - цент-рамн и подтверждают изложенные выше представления о структуре атомарных центров. [35]
При более высоких температурах, около 100 С, освещение КС1 в / - полосе вызывает появление очень широкой полосы [57], названной R - полосой; эта полоса расположена с длинноволновой стороны от F-полосы. К, из чего следует, что полоса должна состоять из большого числа различных компонент. Вероятно, увеличение подвижности вакансий при 100 С приводит к появлению большого числа разнообразных центров, образующихся в результате взаимодействия электронов с группами вакансий и включающих У. Скорость перехода F-R возрастает с температурой, но при высоких температурах наступает равновесие, так что при температуре выше 500 С - центры практически полностью диссоциированы на / - центры и вакансии. [36]
Указанные кривые имеют максимумы при длинах волн 465 тц ( NaCl), 560m ( A ( KC1), 565 тц, ( NaBr) и 630 тц ( КВг), совпадающие с максимумами F-полос поглощения этих кристаллов. [37]
Недавно ( 1957 г.) к аналогичным выводам пришел также Спи-цер [205], исследовавший влияние термической обработки кристаллов NaCl на их люминесценцию, возбуждаемую рентгеновыми лучами во время облучения кристалла ( рентгенофлуоресцен-ция), либо действием света в F-полосе после прекращения рентгенизации. В согласии с уже известными данными Спицер также обнаружил, что термическая обработка не зависит от того, производится ли прогрев в атмосфере воздуха или в высоком вакууме. [38]
Химический анализ показывает, что кристаллы, окрашенные путем нагревания в парах щелочного металла, содержат избыточное по сравнению со стехиометрией количество атомов щелочного металла ( около 1016 - 1019 см-3), причем наблюдается соответствие полного спектрального поглощения в F-полосе количеству избыточных атомов, определенных путем химического анализа. [39]
Таким образом, с понижением температуры кристалла уменьшается вероятность попадания электрона с уровня возбуждения в зону проводимости при неизменном значении коэффициента поглощения в максимуме F-полосы. F-полосе может совсем прекратиться, хотя способность F центров поглгщать свет сохраняется неизменной. Такая интерпретация зависимости кривых спектрального распределения вспышечного действия видимого света от температуры кристалла подтверждается измерениями зависимости интенсивности вспышки от температуры кристалла Опыты проводились следующим образом. Кристалл № С был окрашен рентгеновыми лучами при комнатной температуре, после чего он был охлажден до те, пг-ратуры жидкого воздуха. [40]
Представляет, несомненно, интерес выяснить также роль и другие центров окраски в явлениях вспышки. F-полосе происходит частичное превращение F-центров в так называемые F - центры, представляющие собой два электроне, локализованные в области одной галоидной вакансии. Образование F - центров, неудачно именуемое в литературе возбуждением, вызывает известное изменение в кривой F-полосы поглощения. Так как продолжительность жизни F - центров мала при комнатной температуре, то опыты с возбуждением удобнее производить при низких температурах. Для выяснения роли F - центров в явлениях вспышки кристалл NaCl, окрашенный при комнатной температуре, был помещен в прибор для охлаждения, в котором поддерживалась во время измерения спектрального распределения вспышки постоянная температура около - 72 С, либо - 183 С. [41]
В энергетической схеме / - - полоса приписывается электронным переходом с - уровня в полосу проводимости. По аналогии F-полоса может быть приписана электронным переходам из заполненной полосы на F-уровень. [42]
Полосы поглощения, обусловленные наличием F-центров, характерны для кристаллов и не зависят от того, пары какого щелочного металла используются для образования F-центров. Например, F-полоса кристалла КС1 одна и та же, независимо от того, нагревался кристалл в парах калия или натрия. [43]
Освещение при температурах, когда ионная проводимость мала, приводит к появлению дополнительных полос наряду с главными полосами. Для случая F-полос это явление впервые установлено Оттмером [7], а подобный пример для F-полос изображен на фиг. [44]
 |
Действие видимого света на форму кри - тР нов по локаль. [45] |
Страницы: 1 2 3 4