F-полоса
Cтраница 4
Из рисунков видно, что видимый свет вызывает уменьшение интенсивности свечения во втором пике и параллельное ее увеличение в первом. Таким образом под действием света в области F-полосы происходит превращение одних центров с большей энергией локализации электрона в другие центры с меньшей энергией локализации электрона. [46]
 |
Дифференциальные кривые Дать в случае рекомбинации ос-поглощения фосфора NaCl-Ni, облу - вобожденных электронов с иони-ченного рентгеновыми лучами. зованными в процессе рентгени. [47] |
Еще ранее И. П. Щукин [314] наблюдал при - возбуждении фосфора КС1 - Т1 падение поглощения в активаторной полосе, но полагал, что оно обусловлено ионизацией активаторных центров. Однако совершенно очевидно, что свет, соответствующий F-полосе ( 2 - 2 65 эв. [48]
Частота, соответствующая максимуму Уа-полосы примерно в два раза больше ( 2 - 2 4) частотм в максимуме F-полосы. Полуширина Уг-полосы приблизительно во столько же раз больше полуширины F-полосы. В связи с этим Пик [78] считает, что центры, обусловливающие указанные полосы, одинаково связаны с решеткой. О наличии подобной связи свидетельствует также и существующая зависимость между частотой максимума 1 / 2-поло-сы и постоянной решетки. В случае F-полосы известно 12 ], что Vjnax P является постоянной величиной для различных щелочно-галоидных кристаллов. С достаточно хорошим приближением аналогичное соотношение соблюдается также для У2 - полосы. [49]
Указанные выше полосы дополнительного поглощения обусловлены активатором и не могут быть отнесены к типу У-пслос поглощения. Об этом свидетельствуют опыты с обесцвечиванием в этих фосфорах F-полосы после их рентгенизации. Ослабления полос дополнительного поглощения при таксм сбесцвечивании, чего следовало бы ожидать в случае дь-рочнсй природы центров, обусловливающих эти полосы дополнительного поглощения, не наблюдается. [50]
Одновременно наблюдается также падение интенсивности в / ( - полосе ( 435 / пр. Однако поглощение в полосе А при таком почти полном уничтожении F-полосы не падает, а возрастает, хотя интенсивность / ( - полосы, с которой Л - полоса сильно перекрывается, при этом падает. Облучение фосфора в F-полосе вызывает также увеличение интенсивности Л - полосы ( 288 / пр. [52]
Поэтому введение электронов в кристалл возможно при условии, что одновременно происходит нейтрализация пространственного заряда, которая осуществляется путем выделения из нагретого кристалла отрицательных ионов галоида. Полученная аддитивным способом окраска не может быть уничтожена светом в F-полосе или нагреванием подобно окраске, образованной фотохимическим способом. [53]
Указанные кривые являются совершенно идентичными по форме и имеют примерно одинаковую полуширину. Далее известно 12, 36 ], что с понижением температуры максимум F-полосы смещается в сторону коротких длин волн, а ее полуширина при этом уменьшается. Аналогичным образом ведут себя кривые спектрального распределения вспышечного действия света, несмотря на возникающее при низких температурах существенное различие между ними. С понижением температуры площади, ограниченные спектральными кривыми F-полосы поглощения, не изменяются по величине, тогда как площади под кривыми спектрального распределения вспышечного действия F-света непрерывно уменьшаются а при температуре жидкого воздуха вспышечное действие практически прекращается, хотя окраска кристалла при этом сохраняется. [54]
Если нагревать кристалл галогенида щелочного металла в присутствии паров щелочного металла, а затем быстро охладить, кристалл становится окрашенным. Окраска кристалла обусловлена единственной узкой и интенсивной полосой поглощения, которая называется F-полосой. В спектрах электронного парамагнитного резонанса окрашенным центрам соответствуют широкие полосы поглощения, расположенные в области чисто спиновых значений - фактора. Широкие полосы в свою очередь состоят из серии перекрывающихся сверхтонких линий, обусловленных взаимодействием электрона с ядрами катионов и анионов. [55]
Облучение в F-полосе вызывает также некоторое ослабление V-полос. Если кристалл нагреть до 128 К, то V -полоса полностью исчезает и одновременно F-полоса ослабляется примерно на одну треть. При этом наблюдается небольшое усиление V2 - и У4 - полос. Ослабление V - и F - полос сопровождается возникновением фотопроводимости и люминесценцией. Эти факты согласуются с моделью У-центра, согласно которой он представляет собой положительную дырку, захваченную катион-ной вакансией. Очевидно, дырка может покинуть ловушку, получив небольшую тепловую энергию, которая гораздо меньше энергии оптического возбуждения. [56]
Освещение при температурах, когда ионная проводимость мала, приводит к появлению дополнительных полос наряду с главными полосами. Для случая F-полос это явление впервые установлено Оттмером [7], а подобный пример для F-полос изображен на фиг. [57]
Далее показано, что относительная концентрация центров окраски различной стабильности сильно зависит от температуры кристалла, при которой производится облучение рентгеновыми лучами. В таблице 10 в колонках а приведены значения оптической плотности D ( F) в максимуме F-полосы для 4 кристаллов, рентгенизо-ванных при температурах - J85, - 75 и 25 С. В колонках в приведены значения D ( F), измеренные как в колонках а при - 185 С для тех же кристаллов после их выдержки при комнатной температуре в течение одного часа. Из таблицы видно, что чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем менее стабильны образующиеся центры окраски. [58]
Страницы: 1 2 3 4